dc.creatorGarcía Méndez, Manuel
dc.date2006
dc.date.accessioned2017-03-06T12:03:18Z
dc.date.available2017-03-06T12:03:18Z
dc.identifierhttp://eprints.uanl.mx/1714/1/ARTICULOPELICULASDELGADAS.pdf
dc.identifierGarcía Méndez, Manuel (2006) Caracterización de películas delgadas metálicas por medio de xps y cálculo de densidad de estados. Ciencia UANL, 9 (3). ISSN 1405-9177
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/246113
dc.descriptionPor medio de espectroscopia de fotoemisión de rayos X (XPS por sus siglas en inglés: “X-ray Photoelectron Spectroscopy”) se estudiaron las propiedades electrónicas de siliciuros de Co y Ni, así como con cálculos teóricos de densidad de estados y estructura de bandas. Los cálculos se llevaron a cabo para CoSi2 y NiSi2. De los cálculos realizados se obtiene que la hibridación de orbítales es más fuerte en el caso del siliciuro de Co que para el siliciuro de Ni. Los corrimientos químicos en energía de enlace de las transiciones Co2p3/2 y Ni2p3/2, en los espectros XPS, muestran evidencia del enlace covalente, resultado de la hibridación de orbitales.
dc.formatapplication/pdf
dc.languageen
dc.relationhttp://eprints.uanl.mx/1714/
dc.subjectT Tecnología en General
dc.titleCaracterización de películas delgadas metálicas por medio de xps y cálculo de densidad de estados
dc.typeArtículos de revistas
dc.typeArtículos de revistas


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