dc.contributorNANOTECH
dc.creatorCastaño-González, E.-E.
dc.creatorSeña, N.
dc.creatorMendoza-Estrada, V.
dc.creatorGonzález-Hernández, R.
dc.creatorDussan, Anderson
dc.creatorMesa, F.
dc.date.accessioned2016-11-02T20:40:17Z
dc.date.available2016-11-02T20:40:17Z
dc.date.created2016-11-02T20:40:17Z
dc.date.issued2016
dc.identifierhttp://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12551
dc.languageeng
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAbierto (Texto completo)
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombia
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dc.sourceinstname:Universidad del Rosario
dc.sourcereponame:Repositorio Institucional EdocUR
dc.sourceC. H. Fu, Y. H. Lin, W. C. Lee, T. D. Lin, R. L. Chu, L. K. Chu, P. Chang, M. H. Chen, W. J. Hsueh, S. H. Chen, G. J. Brown, J. I. Chyi, J. Kwo, and M. Hong, Microelectron. Eng. 147, 330 (2015).
dc.sourceZhang Lixue, Sun Weiguo, Xu Yingqiang, Zhang Lei, Zhang Liang, and Si Junjie, Infrared Phys. Technol. 65, 129 (2014).
dc.sourceYe Hong, Shu Yue, and Tang Liangliang, Solar Energy Mater. Solar Cells 125, 268 (2014).
dc.sourceYang Guandong, Zhu Feng, and Dong Shan, J. Cryst. Growth 316, 145 (2011).
dc.sourceJ. T. Vaughey, J. O’Hara, and M. M. Thackeray, Electrochem. Solid State Lett. 3, 13 (2000).
dc.sourceM. Morcrette, D. Larcher, J. M. Tarascon, K. Edström, J. T. Vaughey, and M. M. Thackeray, Electrochim. Acta 52, 5339 (2007).
dc.sourceE. Dynowska, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Z. Domagala, J. Sadowski, T. Wojciechowski, S. Kret, B. Kurowska, A. Kwiatkowski, and W. Caliebe, Rad. Phys. Chem. 80, 1051 (2011).
dc.sourceA. Wolska, M. T. Klepka, K. Lawniczak-Jablonska, J. Sadowski, A. Reszka, and B. J. Kowalski, Rad. Phys. Chem. 80, 1026 (2011).
dc.sourceSun Wei-Feng, Li Mei-Cheng, and Zhao Lian-Cheng, Superlatt. Microstruct. 49, 81 (2011).
dc.sourceN. Liu, G. Y. Gao, J. B. Liu, and K. L. Yao, Comput. Mater. Sci. 95, 557 (2014)
dc.sourceN. Liu, G. Y. Gao, J. B. Liu, and K. L. Yao, Phys. B: Condens. Matter 405, 1663 (2010).
dc.sourceD. Varshney, G. Joshi, M. Varshney, Swarna Shriya, G. Kresse, and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994).
dc.sourceJ. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
dc.sourceJ. P. Perdew, K. Burke, and M. Emzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
dc.sourceJ. P. Perdew, A. Ruzsinszky, G. I. Csonka, O. A. Vydrov, G. E. Scuseria, L. A. Constantin, X. Zhou, and K. Burke, Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008).
dc.sourceJ. P. Perdew, J. A. Chevary, S. H. Vosko, K. A. Jackson, M. R. Pederson, D. J. Singh, and C. Fiolhais, Phys. Rev. B 46, 6671 (1992).
dc.sourceB. Hammer, L. B. Hansen, and J. K. Norskov, Phys. Rev. B 59, 7413 (1999).
dc.sourceJ. Tao, J. P. Perdew, V. N. Staroverov, and G. E. Scuseria, Phys. Rev. Lett. 91, 146401 (2005).
dc.sourceP. Scharoch and M. Winiarski, Comput. Phys. Commun. 184, 2680 (2013).
dc.sourceJ. P. Perdew, A. Ruzsinszky, G. I. Csonka, L. A. Constantin, and J. W. Sun, Pys. Rev. Lett. 106, 179902(E) (2011).
dc.sourceF. Tran and P. Blaha, Phys. Rev. Lett. 102, 226401 (2009).
dc.sourceF. D. Murnaghan, Proc. Natl. Acad. Sci. 30, 244 (1944).
dc.sourceR. Ahmed, F. Aleem, S. Javad, H. Rashid, and H. Akbarzadeh, Theor. Phys. 52, 527 (2009).
dc.sourceN. N. Sirota and F. M. Gololobov, Sov. Phys. Dokl. 144, 89 (1962).
dc.sourceA. H. Reshak, Eur. Phys. and J. B 47, 503 (2005).
dc.sourceT. C. McGlinn, T. N. Krabach, M. V. Klein, G. Bajor, J. E. Greene, B. Kramer, S. A. Barnett, A. Lastras, and S. Gorbatkin, Phys. Rev. B 33, 8396 (1986).
dc.sourceK. Aoki, E. Anastassakis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 30, 681 (1984).
dc.sourceS. Kotochigova, Z. H. Levine, E. L. Shirley, M. D. Stiles, and C. W. Clark, Phys. Rev. A 55, 191 (1997).
dc.subjectElectronic and Structural Properties
dc.titleFirst-Principles Calculations of the Electronic and Structural Properties of GaSb
dc.typeworkingPaper


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