Formation and characterization of ion beam assisted nanosystems in silicon
Formation and characterization of ion beam assisted nanosystems in silicon
| dc.contributor | en-US | |
| dc.contributor | es-ES | |
| dc.creator | Poudel, P. R. | |
| dc.creator | Rout, B. | |
| dc.creator | Hossain, K. M. | |
| dc.creator | Dhoubhadel, M. S. | |
| dc.creator | Kummari, V. C. | |
| dc.creator | Neogi, A. | |
| dc.creator | McDaniel, F. D. | |
| dc.date | 2010-12-02 | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-16T15:48:16Z | |
| dc.date.available | 2018-03-16T15:48:16Z | |
| dc.identifier | http://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/21442 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1202573 | |
| dc.description | Even though silicon is optically inactive, the nanoscale particle structures (e.g. SiC) in Si or silica matrices are potential candidates for light emitting solid state device applications with higher operation temperatures. The synthesis of these nanostructures involves ion implantation and subsequent thermal annealing. The film thicknesses and sizes of the nanostructures can be controlled by ion energy, fluence, and annealing conditions. Particle accelerator based characterization was used at different stages of formation and analysis of these nanosystems in Si. Results will be presented using infrared spectroscopy (IR), X-ray diffraction spectroscopy (XRD), and photoluminescence (PL) spectroscopy. | en-US |
| dc.description | Aunque el silicio es ópticamente inactivo, las estructuras de las partículas a nanoescala (por ejemplo, carburo de silicio) en Si o en la matriz de sílice son candidatos potenciales para aplicaciones de dispositivos emisores de luz de estado sólido con temperaturas de operación mayores. La síntesis de estas nanoestructuras implica la implantación de iones y de recocido térmico posterior. Los espesores de película y tamaños de las nanoestructuras pueden ser controladas por la energía de iones, flujo de energía y las condiciones de recocido. Una caracterización basada en un acelerador de partículas se utilizó en las diferentes etapas de la formación y el análisis de estos nanosistemas en Si. Los resultados se presentarán mediante espectroscopía de infrarrojos (IR), X-espectroscopía de difracción de rayos X (DRX), y espectroscopía de fotoluminiscencia (PL). | es-ES |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | spa | |
| dc.publisher | Revista Mexicana de Física | es-ES |
| dc.relation | http://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/21442/20202 | |
| dc.source | Revista Mexicana de Física; Vol 56, No 004 (2010) | es-ES |
| dc.subject | SiC; nanosystems; ion implantation; photoluminescence | en-US |
| dc.subject | SiC; nanosistemas; la implantación de iones; fotoluminiscencia | es-ES |
| dc.title | Formation and characterization of ion beam assisted nanosystems in silicon | en-US |
| dc.title | Formation and characterization of ion beam assisted nanosystems in silicon | es-ES |
| dc.type | Artículos de revistas | |
| dc.type | Artículos de revistas |