Se desarrolló un método simple y sin semillas para la síntesis de Si3N4 partiendo de un sistema de precursores libre de hidrógeno (Na2SiF6(S)-N2(G)). A partir de cálculos termodinámicos y resultados experimentales se concluye que las especies químicas gaseosas SiFx (SiF4, SiF3, SiF2, SiF AND Si) formadas durante la disociación a baja temperatura del Na2SiF6 en un sistema convencional de CVD reaccionan in situ con el nitrógeno para producir Si3N4. Se obtuvieron fibras, fibras cortas discontinuas, recubrimientos y polvos a través del sistema Na2SiF6(S)-N2 a presiones ligeramente por encima de la presión atmosférica. Con el incremento en la temperatura no solo aumenta la factibilidad de las reacciones para la disociación del Na2SiF6 Y formación del SI3N4, sino también una vez que se han formado las especies SIFX por la primera reacción, la segunda reacción es incluso más factible. El Si3N4 amorfo se obtiene a temperaturas de hasta 1173 K mientras que Si3N4 cristalino α y β se forman en el rango de temperaturas de 1273-1573 K y con tiempos de procesamiento tan cortos como 120 minutos. Se determinaron las condiciones óptimas para maximizar la formación del Si3N4.A SIMPLE, SEEDLESS METHOD FOR THE SYNTHESIS OF Si3N4 FROM HYDROGEN-FREE PRECURSOR SYSTEM (Na2SiF6(S)-N2(g)) WAS DEVELOPED. FROM THERMODYNAMIC CALCULATIONS AND EXPERIMENTAL RESULTS IT IS CONCLUDED THAT THE GASEOUS CHEMICAL SPECIES SiFX (SiF4, SiF3, SiF2, SiF AND Si) FORMED DURING THE LOW-TEMPERATURE DISSOCIATION OF Na2SiF6 IN A CONVENTIONAL CVD SYSTEM REACT IN-SITU WITH NITROGEN TO PRODUCE Si3N4. WHISKERS, FIBERS, COATINGS AND POWDERS WERE OBTAINED VIA THE Na2SiF6-N2 SYSTEM AT PRESSURES SLIGHTLY ABOVE ATMOSPHERIC PRESSURE. NOT ONLY DOES THE FEASIBILITY OF THE REACTION FOR NA2SIF6 DISSOCIATION AND Si3N4 FORMATION INCREASE WITH THE TEMPERATURE BUT ALSO, ONCE THE SIFX CHEMICAL SPECIES ARE FORMED BY THE FORMER, THE LATTER REACTION IS EVEN MORE VIABLE. AMORPHOUS Si3N4 IS OBTAINED A TEMPERATURES OF UP TO 1173 K WHILE CRYSTALLINE Si3N4 ARE FORMED IN THE RANGE 1273-1573 K AND WITH PROCESSING TIMES AS SHORT AS 120 MINUTES. OPTIMAL CONDITIONS FOR MAXIMIZING SI3N4 FORMATION WERE DETERMINATED.