Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de sistemas microelectro- mecánicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizó la contribución de las componentes física y química sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variación de la presión, bombardeo iónico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la región de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dióxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisótrpo de hasta 4 μm/min con enmascarante de SiO2 y velocidad de grabado isótrpo de hasta 13 μm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarización es el más alto, y el material enmascarante presentó un fuerte efecto sobre los resultados obtenidosThe results of dry etching of monocrystalline silicon for micro-electo-mechanical systems (MEMS) applications by using a RIE/ICP system are shown. The contribution of the physical and chemical components over the etch rate and etch profile was analized by the variation of the pressure, ion bombardment, flux, type and gas mixture; and over the distance of the dense plasma. The main reactive gas used was SF6 in mixture with Ar, O2, or CF4. Masking materials of photoresist, silicon dioxide, and aluminum were used. Anisotropic etch rates up to 4 μm/min with SiO2 as masking material, and isotropric etch rates up to 13 μm/min with Al as masking material were obtained, both in SF6/O2 plasma. Vertical etch profiles were observed when the self-bias voltage is the highest, and the masking material presented a strong effect over the obtained results