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Bulk anisotropic excitons in type-II semiconductors built with 1D and 2D low-dimensional structures
Bulk anisotropic excitons in type-II semiconductors built with 1D and 2D low-dimensional structures
Autor
Coyotécatl, H. A.
del Castillo-Mussot, M.
Montemayor Aldrete, J. A.
Reyes Esqueda, J. A.
Vázquez, G. J.
Institución
Resumen
Utilizamos un método variacional para tomar en cuenta la diferencia entre las masas efectivas del electrón y del hueco en excitonesWannier-Mott en heteroestructuras semiconductoras tipo II en las que el electrón esta constreñido en un alambre cuántico unidimensional (AC1D) y el hueco en un pozo cuántico bidimensional (PC2D) perpendicular al alambre o viceversa. La ecuación de Schrödinger resultante es similar a la de un excitón en el bulto en 3D porque el número de variables libres (no confinadas) es tres; dos que provienen del PC2D y una del AC1D. En este sistema interacción efectiva electrón-hueco depende de los potenciales de confinamiento. We used a simple variational approach to account for the difference in the electron and hole effective masses in Wannier-Mott excitons in type-II semiconducting heterostructures in which the electron is constrained in an one-dimensional quantum wire (1DQW) and the hole is in a two-dimensional quantum layer (2DQL) perpendicular to the wire or viceversa. The resulting Schrodinger equation is similar to that of a 3D bulk exciton because the number of free (nonconfined) variables is three; two coming from the 2DQL and one from the 1DQW. In this system the effective electron-hole interaction depends on the confinement potentials.