SE REPORTAN LAS PROPIEDADES DE LAMINAS DELGADAS DE BA0.6SR0.4TIO3 (BST) PURO Y DOPADO CON BAJAS CONCENTRACIONES DE MG. LAS LAMINAS FUERON OBTENIDAS SOBRE MONOCRISTALES (100) MGO Y SUSTRATOS DE SI CUBIERTOS DE PT, POR DEPOSICIÓN DE SOLUCIÓN METALORGANICA (MOSD) USANDO PRECURSORES DE CARBOXILATO-ALKOXIDO Y RECOCIDO POST-DEPOSICIÓN A 800?C (SUSTRATOS LAMINA/MGO) Y 750?C (SUSTRATOS LAMNA/PT-SI). LAS PROPIEDADES DIELÉCTRICAS FUERON MEDIDAS A 10 GHZ USANDO LAMINAS NO-EMPATRONADAS/NO-METALIZADAS POR SINTONÍA DE UN SISTEMA DIELÉCTRICO RESONANTE DE ACOPLE/DESACOPLE Y A 100 KHZ MEDIANTE CAPACITORES METAL-AISLANTE-METAL. LA ESTRUCTURA, MICROESTRUCTURA, MORFOLOGÍA Y COMPOSICIÓN DE LOS SISTEMAS LAMINA/SUSTRATO FUERON ANALIZADAS Y CORRELACIONADAS CON LAS PROPIEDADES DIELÉCTRICAS Y AISLANTES DE LAS LAMINAS. LAS LAMINAS BST DOPADAS CON MG EXHIBIERON MEJORES CARACTERÍSTICAS DE AISLAMIENTO Y PERDIDAS DIELÉCTRICAS QUE LAS LAMINAS DE BST PURAS. LA MEJORA EN PROPIEDADES DIELÉCTRICAS, BAJA CORRIENTE DE PERDIDA Y BUENA SINTONIZABILIDAD DE LAS LAMINAS CON BAJO DOPAJE DE MG AMERITA SU UTILIZACIÓN POTENCIAL PARA DISPOSITIVOS DE SINTONÍA DE MICROONDAS.AbstractTHE MATERIALS PROPERTIES OF UNDOPED AND LOW CONCENTRATION MG DOPED BA0.6SR0.4TIO3 (BST) THIN FILMS ARE REPORTED. THE FILMS WERE FABRICATED ON SINGLE CRYSTAL (100) MGO AND PT COATED SI SUBSTRATES VIA THE METALORGANIC SOLUTION DEPOSITION (MOSD) TECHNIQUE USING CARBOXYLATEALKOXIDE PRECURSORS AND POST-DEPOSITION ANNEALED AT 800—C (FILM/MGO SUBSTRATES) AND 750—C (FILM/PT-SI SUBSTRATES). THE DIELECTRIC PROPERTIES WERE MEASURED AT 10 GHZ USING UNPATTERNED/NON-METALLIZED FILMS VIA A TUNED COUPLED/SPLIT DIELECTRIC RESONATOR SYSTEM AND AT 100 KHZ USING METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS. THE STRUCTURE, MICROSTRUCTURE, SURFACE MORPHOLOGY AND FILM/SUBSTRATE COMPOSITIONAL QUALITY WERE ANALYZED AND CORRELATED TO THE FILMS DIELECTRIC AND INSULATING PROPERTIES.THE MATERIALS PROPERTIES OF UNDOPED AND LOW CONCENTRATION MG DOPED BA0.6SR0.4TIO3 (BST) THIN FILMS ARE REPORTED. THE FILMS WERE FABRICATED ON SINGLE CRYSTAL (100) MGO AND PT COATED SI SUBSTRATES VIA THE METALORGANIC SOLUTION DEPOSITION (MOSD) TECHNIQUE USING CARBOXYLATEALKOXIDE PRECURSORS AND POST-DEPOSITION ANNEALED AT 800€”C (FILM/MGO SUBSTRATES) AND 750€”C (FILM/PT-SI SUBSTRATES). THE DIELECTRIC PROPERTIES WERE MEASURED AT 10 GHZ USING UNPATTERNED/NON-METALLIZED FILMS VIA A TUNED COUPLED/SPLIT DIELECTRIC RESONATOR SYSTEM AND AT 100 KHZ USING METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS. THE STRUCTURE, MICROSTRUCTURE, SURFACE MORPHOLOGY AND FILM/SUBSTRATE COMPOSITIONAL QUALITY WERE ANALYZED AND CORRELATED TO THE FILMS DIELECTRIC AND INSULATING PROPERTIES.