Band gap energy in zn-rich zn1xcdxte thin films grown by r.f. sputtering
Band gap energy in zn-rich zn1xcdxte thin films grown by r.f. sputtering
| dc.contributor | en-US | |
| dc.contributor | es-ES | |
| dc.creator | Becerril, M. | |
| dc.creator | Silva López, H. | |
| dc.creator | Zelaya Angel, O. | |
| dc.date | 2009-10-05 | |
| dc.date.accessioned | 2018-03-16T15:42:03Z | |
| dc.date.available | 2018-03-16T15:42:03Z | |
| dc.identifier | http://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14039 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1201671 | |
| dc.description | Ternary Zn1-XCdxTe semiconducting thin films were grown on 7059 Corning glass substrates at room temperature by co-sputtering from a ZnTe-Cd target. The visible Cd-area ontO ZnTe target was varied to cover 0% - 4% of the total area. The optical and structural properties of the films were analysed as a function of the Cd concentration (x) on the layers. The sharp diffraction lines indicate mainly the ZnTe in cubic phase. when the cadmium was incorporated into the ZnTe lattice, the band gap energy (Eg) decreased from 2.2748 eV (x=0) to 2.2226 eV (X= 0.081). We found a linear relationship between Eg and (x) in the interval of (x) studied, that predicts a value of the bowing parameter b in the Eg (x) = Eg0 + ax + bx2 relationship, which coincides with the value of b calculated by making the same study for Cd-rich CdZnTe. This result becomes interesting given the large number of values reported for b and a for Eg (x) of this ternary material. | en-US |
| dc.description | Películas semiconductoras de Zn1-XCdxTe fueron crecidas por la técnica de co-erosión catódica de radio frecuencia sobre substratos de vidrio Corning 7059 a temperatura ambiente a partir de un blanco de ZnTe-Cd. pequeñas laminillas de Cd fueron colocadas sobre la superficie del blanco cubriendo un area del 0% - 4%. Las propiedades ópticas y estructurales de las películas fueron analizadas en función de la concentración de Cd (x). El patrón de difracción de rayos-X nos indica preferentemente la fase cúbica del ZnTe. Cuando el cadmio es incorporado dentro de la red del ZnTe, la brecha de energía (Eg) decrece desde 2.2748 eV (x = 0) hasta 2.2226 eV (x = 0.081). A partir de los datos obtenidos se encuentra una relación lineal Eg vs (X) en el intervalo de (x) estudiado, el cual predice un parámetro de curvatura b en la relación Eg(x) = Eg0 + ax + bx2, que coincide con el valor de b calculado para el mismo estudio en las películas de Zn1-xCdxTe. Este resultado es interesante dado el gran numero de valores reportados para b y a de Eg para este material ternario. | es-ES |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | spa | |
| dc.publisher | Revista Mexicana de Física | es-ES |
| dc.relation | http://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14039/13376 | |
| dc.source | Revista Mexicana de Física; Vol 50, No 006 (2004) | es-ES |
| dc.subject | II-IV semiconductors; thin films; ZnCdTe; radio frequency sputtering | en-US |
| dc.subject | Semiconductores II-VI; películas delgadas; ZnCdTe; erosión catódica | es-ES |
| dc.title | Band gap energy in zn-rich zn1xcdxte thin films grown by r.f. sputtering | en-US |
| dc.title | Band gap energy in zn-rich zn1xcdxte thin films grown by r.f. sputtering | es-ES |
| dc.type | Artículos de revistas | |
| dc.type | Artículos de revistas |