OS ESTUDIADO EL OXIDO DE SILICIO FUERA DE ESTEQUIOMÁTRICA, U OXIDO DE SILICIO RICO EN SILICIO (SRO) DESDE VARIOS PUNTOS DE VISTA. EL SRO ES UN MATERIAL DE DOBLE FASE FORMADO POR ISLAS DE SILICIO EMBEBIDAS EN UNA MATRIZ DE OXIDO DE SILICIO. SUS CARACTERÍSTICAS ESTÁN DETERMINADAS POR EL EXCESO DE SILICON EN EL SIO2. EL EXCESO DE SILICON SE DETERMINA POR LA RELACIÓN DE GASES REACTIVOS, RO, DURANTE SU OBTENCIÓN. LA ESTRUCTURA SRO/SI TAMBIÉN HA SIDO ESTUDIADA Y PRESENTA PROPIEDADES QUE DEPENDEN DE LA RO DEL TIPO Y RESISTIVIDAD DEL SILICIO. COMO RESULTADO DE ESTA INVESTIGACIÓN HEMOS ENTENDIDO Y EXPLICADO EL COMPORTAMIENTO DE LA ESTRUCTURA SRO/SI. EN ESTE TRABAJO PRESENTAREMOS LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES OBTENIDOS HASTA AHORA DE DOS DISPOSITIVOS NUEVOS: UNO ES LA ESTRUCTURA AL/SRO/SI QUE ACTUAL COMO SUPRESOR DE PICOS DE VOLTAJE EN LA LÍNEA DE 60HZ. EL OTRO ES UN DETECTOR DE RADIACIÓN UTILIZANDO LA ESTRUCTURA SRO/SITHIS PROJECT THE SILICON RICH OXIDE (SRO), OR OFF STOICHIOMETRY SILICON OXIDE HAS BEEN STUDYING FROM SEVERAL PERSPECTIVE. THE SRO IS A DOUBLE PHASE MATERIAL FORMADE BY SILICON ISLANDS EMBEDDED IN A SIO2 METRIX, WHOSE FINAL CHARACTERISTICS ARE RELATED WITH THE SILICON EXCESS. THE SILICON EXCESS IS DETERMINATED BY THE GASES PRECURSOR RATIO, RO. THE JUNCTION SRO/SI HAS BEEN STUDIED TOO, AND IT WAS FOUND THAT THIS STRUCTURE BAHAVES AS DIFFERENT DEVICES DEPENDING ON THE CHARACTERISTICS OF THE SRO ANT THE SI. OUR RESEARCH LED US TO UNDERSTAND AND EXPLEIN THE ELECTRONIC BEHAVIOR OF THE AI/SRO/SI STRUCTURE. WITH THIS KNOWLEDGE, WE HAVE PROPOSED NEW DEVICES THAT USE THE SRO/SI JUNCTION WITH DIFFERENT SI