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Projeto de uma fonte de tensão de referencia do tipo bandgap em tecnologia CMOS

Cajueiro, João Paulo Cerquinho ([s.n.], 2002)

Tecnologias em sistemas de circuitos integrados

Silva, Matheus Vidoti da (Universidade Tecnológica Federal do ParanáCampo MouraoBrasilDepartamento Acadêmico de EletrônicaEngenharia EletrônicaUTFPR, 2018-06-18)

The crescent semiconductor market aims more and more researches at it’s main technology, CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). This paper is a literature review based on the databases IEEE and Science Direct. The ...

Um modelo compacto do transistor MOS para simulação de circuitos /

Gouveia Filho, Oscar da Costa (Florianópolis, SC, 2012)

Estudo comparativo entre tecnologias CMOS, NMOS e SOI em um circuito de APS

Madeira, Frederico Marion (Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)

Estudo comparativo entre tecnologias CMOS, NMOS e SOI em um circuito de APS

Madeira, Frederico Marion (Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2019)

Oxidação seletiva do silicio em baixas temperaturas : uma aplicação em dispositivos MOS auto-alinhados

Sousa, Carlos Pimentel de ([s.n.], 1984)

Sistemas quimicos integrados : oxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5) obtidos pelo processo MOD nos poros de matrizes com esqueleto niobofosfato e de silica (VYCOR)

Mazali, Italo Odone, 1972- ([s.n.], 2001)

Síntese e caracterização de óxido de grafeno + óxido de grafeno e óxidos metálicos semicondutores

GUSTAVO HENRIQUE WEGHER; Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Curitiba, Paraná, Brasil; EMILSON RIBEIRO VIANA JUNIOR; Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Curitiba, Paraná, Brasil (Seminário de Iniciação Científica e Tecnológica da UTFPR, 2018)

Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio

Ferreira, Elnatan Chagas, 1955- ([s.n.], 1984)

Referencia de tensão CMOS com correção de curvaturaCMOS Voltage Reference with curvature correction

Amaral, Wellington Avelino do ([s.n.], 2009)

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Um modelo compacto do transistor MOS para simulação de circuitos /

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Sistemas quimicos integrados : oxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5) obtidos pelo processo MOD nos poros de matrizes com esqueleto niobofosfato e de silica (VYCOR)

Síntese e caracterização de óxido de grafeno + óxido de grafeno e óxidos metálicos semicondutores

Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio

Referencia de tensão CMOS com correção de curvaturaCMOS Voltage Reference with curvature correction