Um modelo compacto do transistor MOS para simulação de circuitos /

Tesis

Registro en:

147226

http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/80550

http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/697728

Autor

Gouveia Filho, Oscar da Costa

Institución

Universidade Federal de Santa Catarina (Brasil)

Resumen

Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico.

Materias

Transistores de efeito de campo de semicondutores de oxido metalico

Circuitos eletronicos

Simulação por computador

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