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Mostrando ítems 1-10 de 290
Application of UTBB (SOI)-S-BE Tunnel-FET as a Dual-Technology Transistor
(Ieee, 2019-01-01)
In this work we propose for the first time the use of the recently introduced UTBB (SOI)-S-BE TFET (Ultra-Thin Body and Box Back Enhanced Silicon-On-Insulator Tunnel-FET) operating as a MOSFET device only by changing its ...
Application of UTBBBE SOI tunnel-FET as a dual-technology transistor
(2019-08-01)
In this work we propose for the first time the use of the recently introduced UTBBBE SOI TFET (Ultra-Thin Body and Box Back Enhanced Silicon-On-Insulator Tunnel-FET) operating as a MOSFET device only by changing its bias ...
Study of the utbbbe soi tunnel-fet working as a dual-technology transistor
(2021-08-23)
— In this work we further investigate the operation of theBESOI (Back-Enhanced Silicon-On Insulator) Dual-Technology FET, analyzing not only its behavior as a p-type Tunnel-FET when a negative back bias is applied to the ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Analysis of Mobility in Graded-Channel SOI Transistors aiming at Circuit Simulation
(2020-07-31)
This work presents an analysis of the behavior of the effective mobility of graded-channel FD SOI transistors us-ing an Y-Function-based technique. Low field mobility, linear and quadratic attenuation factors were extracted ...
Análise da mobilidade em transistores SOI de canal gradual visando simulações de circuitos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
de-Semiconductor Field Effect Transistor) é um transistor SOI cujo canal está dividido em duas regiões: uma região fortemente dopada e outra região fracamente dopada. A redução da concentração de dopantes na região do canal ...