Buscar
Mostrando ítems 1-10 de 51
Transporte electrónico en silicio poroso nanoestructurado
(2013-03-25)
En este trabajo se fabricaron dispositivos basados en silicio poroso nanoestructurado, con el fin de estudiar y caracterizar sus propiedades de transporte eléctrico, buscando acumular datos que permitan en un futuro ...
Característica Intensidad-Voltaje en el contacto metal – semiconductor superconductor
(Universidad Nacional de Trujillo, 2020)
Característica Intensidad-Voltaje en el contacto metal – semiconductor superconductor
(Universidad Nacional de Trujillo, 2020)
RESUMEN
En el presente trabajo, se ha realizado un estudio del comportamiento Voltaje – Corriente de las uniones metal – semiconductor en el estado superconductor. Se obtuvo la densidad de corriente total, J, en el punto ...
Fuerza termoelectromotriz en semiconductores bipolares: nuevo punto de vista
(Revista Mexicana de Física, 2009)
Desarrollo de contactos óhmicos para semiconductores III-V con barrera de difusión
(2008-11-26)
RESUMEN: Los contactos óhmicos son parte esencial de los dispositivos semiconductores. En
dispositivos con pozos cuánticos o superredes con semiconductores III-V es necesario tener
contactos óhmicos poco profundos, por ...
Metal contacts on GaSb substrates and GaInAsSb epilayers for infrared detector applications
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2012)
Metal contacts on GaSb substrates and GaInAsSb epilayers for infrared detector applications
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2012)
Caracterización eléctrica de uniones metal-PbS para el desarrollo de dispositivos electrónicos
(Universidad de Sonora, 2012)