Growth of ZnO thin films by pyrolytic nebulization

dc.creatorMorinigo, Luis Ezequiel
dc.creatorVaveliuk, Pablo
dc.creatorTejerina, Matías Rubén
dc.date2023-06
dc.date2023-09-11T18:24:13Z
dc.date.accessioned2024-07-24T03:54:45Z
dc.date.available2024-07-24T03:54:45Z
dc.identifierhttp://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/157495
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/9535642
dc.descriptionLos films de ZnO depositados por nebulización pirolítica son una buena opción como materiales semiconductores transparentes de bajo costo. El proceso de nebulización pirolítica conlleva la evaporación de una solución que contiene iones de Zn sobre un sustrato que se mantiene a temperatura constante entre 350°C y 450°C. Una posibilidad para obtener recubrimientos de baja resistividad (del orden de 0.1 ohm*cm) es lograr capas homogéneas de baja porosidad de un espesor del orden de 1 m. En este trabajo se presenta el resultado de variar la proporción agua/etanol utilizado como solvente.
dc.descriptionFacultad de Ciencias Agrarias y Forestales
dc.formatapplication/pdf
dc.format56-56
dc.languagees
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)
dc.subjectQuímica
dc.subjectFísica
dc.subjectsemiconductores de capa delgada
dc.subjectsolvente de solución
dc.subjectthin-film semiconductors
dc.subjectsolution solvent
dc.titleCrecimiento de películas delgadas de ZnO por nebulización pirolítica
dc.titleGrowth of ZnO thin films by pyrolytic nebulization
dc.typeArticulo
dc.typeComunicacion


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