Tunelamiento resonante en heteroestructuras semiconductoras de doble barrera

Abstract

En este trabajo se investiga el tunelamiento resonante para una heteroestructura semiconductora de doble barrera de potencial rectangular simétrico. Se demuestra que para una heteroestructura de arseniuro de galio de doble barrera de potencial, cuando la energía del electrón es menor que la altura de la barrera se observa el tunelamiento resonante para algunos valores de la energía del electrón. Estos valores de energía dependen del ancho de las barreras así como de la distancia entre las barreras.

In this work the resonant tunneling for a double barrier semiconductor heteroestructure of symmetrical rectangular potential is investigated. It is shown that for a double potential barrier gallium arsenide heteroestructure, when the electron energy is lower than the height of the barrier resonant tunneling is observed for some values of the electron energy. These energy values dependo n the width oh the barriers as well as the distance between the barriers.