| dc.contributor | Hummelgen, Ivo Alexandre, 1963- | |
| dc.contributor | Meruvia, Michelle Sostag | |
| dc.contributor | Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materiais - PIPE | |
| dc.creator | Tavares, Ana Carolina Batista | |
| dc.date | 2021-05-07T17:48:29Z | |
| dc.date | 2021-05-07T17:48:29Z | |
| dc.date | 2014 | |
| dc.date.accessioned | 2023-09-28T17:58:39Z | |
| dc.date.available | 2023-09-28T17:58:39Z | |
| dc.identifier | https://hdl.handle.net/1884/35637 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/9028342 | |
| dc.description | Orientador : Profª Drª Ivo Alexandre Hümmelgen | |
| dc.description | Co-orientadora : Profª. Drª. Michelle Sostag Meruvia | |
| dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciências dos Materiais. Defesa: Curitiba, 18/02/2014 | |
| dc.description | Inclui referências | |
| dc.description | Area de concentração: Engenharia e ciências dos materiais | |
| dc.description | Resumo: O presente trabalho tem como objetivo produzir e caracterizar transistores verticais em uma estrutura semicondutor tipo n / metal / semicondutor tipo p utilizando apenas materiais orgânicos. O trabalho teve inicio com a busca do material para formar o coletor, escolheu-se o polibitiofeno (PBT), um material tipo p que e eletroquimicamente depositado. Para a base optou-se por usar um filme fino Poli(3,4-etilenodioxitiofeno)-poli(sulfonato de estireno) (PEDOT:PSS). O material orgânico escolhido para formar o emissor foi o Tris(8-hidroxido quinolina) alumínio (Alq3), um material tipo n. Foram realizadas medidas de voltametria cíclica e de absorbância para caracterização dos materiais. As características elétricas dos dispositivos foram realizadas a dois e a três terminais. | |
| dc.description | Abstract: The presente work has the objective to produce and characterize vertical transistors in a semiconductor type n / metal / semiconductor type p structure using only organic materials. The work began with the choose of material to form the collector, was chosen the polybityophene (PBT), that is a type p material and is electrochemically deposited. For the base layer we decided to use a thin film of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS). The organic material chosen for the emitter layer was Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3), a type n material. Was made measurements of cyclic voltammetry and absorbance for to characterize the materials. The electrical characteristic of the devices were made in a two and three terminals mode. | |
| dc.format | 79f. : il., grafs., algumas color. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Português | |
| dc.relation | Disponível em formato digital | |
| dc.subject | Teses | |
| dc.subject | Transistores | |
| dc.subject | Engenharia de Materiais e Metalurgia | |
| dc.title | Transistor vertical orgânico análogo a uma estrutura : semicondutor tipo N/metal/semicondutor tipo P | |
| dc.type | Dissertação | |
