Dielectric properties of co-doped titania

dc.contributorEliana Navarro dos Santos Muccillo
dc.creatorSILVA, DEBORAH Y.B. da
dc.date2023
dc.date2023-07-14T12:14:14Z
dc.date2023-07-14T12:14:14Z
dc.date.accessioned2023-09-28T14:26:22Z
dc.date.available2023-09-28T14:26:22Z
dc.identifierhttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/34150
dc.identifier10.11606/D.85.2023.tde-05062023-144132
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/9004358
dc.descriptionNeste trabalho foram investigadas a microestrutura, as propriedades el??tricas e diel??tricas da tit??nia contendo dopantes ?? base de terras raras. O principal objetivo foi avaliar o efeito da temperatura de sinteriza????o e da concentra????o de dopantes tri- e pentavalentes na microestrutura e nas propriedades el??tricas e diel??tricas dos materiais sinterizados. Cer??micas de TiO2 contendo Y2O3 e Nb2O5 foram preparadas pelo m??todo convencional de mistura dos reagentes na propor????o estequiom??trica seguida de rea????o em altas temperaturas. Os teores de dopantes foram de 2,5; 5 e 10% mol e as temperaturas de sinteriza????o foram 1480 e 1500 ??C. A caracteriza????o das amostras foi realizada por meio de t??cnicas de difra????o de raios X, para identifica????o das fases cristalinas, e observa????o da microestrutura em microsc??pio eletr??nico de varredura com espectroscopia de energia dispersiva associada e microscopia de varredura por sonda. As propriedades el??tricas e diel??tricas foram estudadas por meio de medidas de espectroscopia de imped??ncia. A microestrutura resultante evidenciou a forma????o de fases de impureza, especialmente YNbTiO6, para 5% e 10% mol de dopantes, e densidades aparentes acima de 80% da densidade te??rica. Al??m da fase de impureza, excesso de dopantes deram origem a outras fases nos contornos de gr??o, como evidenciado por microscopia eletr??nica. Os tamanhos m??dios de gr??o variaram entre 20 e 30 ??m. A sinteriza????o em 1500 ??C produziu uma fase amorfa nos contornos de gr??o e crescimento acentuado dos mesmos, sugerindo a forma????o de fase l??quida durante a sinteriza????o. Para todas as composi????es foi obtida permissividade el??trica colossal (acima de 1.000). Valores de energia de ativa????o para a condu????o atrav??s dos contornos de gr??o variaram entre aproximadamente 0,2 e 0,33 eV evidenciando um comportamento semicondutor. A tangente de perdas a 60 ??C foi de ??? 0,2. A maior permissividade el??trica foi obtida para a composi????o contendo 5% mol de dopantes.
dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Cient??fico e Tecnol??gico (CNPq)
dc.descriptionDisserta????o (Mestrado em Tecnologia Nuclear)
dc.descriptionIPEN/D
dc.descriptionInstituto de Pesquisas Energ??ticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
dc.descriptionCNPq: 133620/2019-0
dc.format109
dc.rightsopenAccess
dc.titlePropriedades diel??tricas da tit??nia co-dopada
dc.titleDielectric properties of co-doped titania
dc.typeDisserta????o
dc.coverageN
dc.localS??o Paulo


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