Study on impurities influence and quality of surfaces of thallium bromide crystals for use as a radiation detector

dc.contributorMargarida Mizue Hamada
dc.creatorSANTOS, ROBINSON A. dos
dc.date2016
dc.date2016-11-11T13:09:25Z
dc.date2016-11-11T13:09:25Z
dc.date.accessioned2023-09-28T13:31:27Z
dc.date.available2023-09-28T13:31:27Z
dc.identifierhttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26818
dc.identifier10.11606/T.85.2016.tde-29072016-143254
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8997111
dc.descriptionNeste trabalho, cristais de TlBr foram crescidos e purificados pelo m??todo de Bridgman Repetido, a partir de sais comerciais de TlBr, e caracterizados para serem usados como detectores de radia????o ?? temperatura ambiente. Para avaliar a efici??ncia de purifica????o, estudos da diminui????o da concentra????o de impurezas foram feitos ap??s cada crescimento, analisando as impurezas tra??o por Espectrometria de Massas com Plasma (ICP-MS). Um decr??scimo significativo da concentra????o de impurezas em fun????o do n??mero de purifica????es foi observado. Os cristais crescidos apresentaram boa qualidade cristalina de acordo com os resultados de an??lise por Difra????o de Raios X (DRX), boa qualidade morfol??gica e estequiometria adequada de acordo com os resultados de an??lise por MEV(SE) e MEV(EDS). Um modelo matem??tico definido por equa????es diferenciais foi desenvolvido para avaliar as concentra????es de impurezas no cristal de TlBr e suas segrega????es em fun????o do n??mero de crescimentos pelo m??todo de Bridgman. Este modelo pode ser usado para calcular o coeficiente de migra????o das impurezas e mostrou ser ??til para prever o n??mero necess??rio de repeti????es de crescimento Bridgman para atingir n??vel de pureza adequado para assegurar a qualidade do cristal como detector de radia????o. Os coeficientes se segrega????o obtidos s??o par??metros importantes para an??lise microestrutural e an??lise de transporte de cargas nos cristais detectores. Para avaliar os cristais a serem usados como detectores de radia????o, medidas de suas resistividades e resposta ?? incid??ncia de radia????o gama das fontes de 241Am (59,5keV) e 133Ba (81 keV) foram realizadas. Essa resposta foi dependente da pureza do cristal. Os detectores apresentaram um avan??o significativo na efici??ncia de coleta de cargas em fun????o da pureza.
dc.descriptionTese (Doutorado em Tecnologia Nuclear)
dc.descriptionIPEN/T
dc.descriptionInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
dc.format97
dc.rightsopenAccess
dc.subjectpolycrystals
dc.subjectcrystal growth methods
dc.subjectcrystal structure
dc.subjectplasma impurities
dc.subjectphase diagrams
dc.subjectphase transformations
dc.subjectbridgman method
dc.subjectx-ray diffraction
dc.subjectscanning electron microscopy
dc.subjectsecondary beams
dc.subjectsecondary emission
dc.subjectelectron microprobe analysis
dc.subjectelectroluminescence
dc.subjectradiation detectors
dc.subjectsemiconductor detectors
dc.subjectthallium bromides
dc.subjecthalogen compounds
dc.titleEstudo da influ??ncia de impurezas e da qualidade das superf??cies em cristais de brometo de t??lio para aplica????o como um detector de radia????o
dc.titleStudy on impurities influence and quality of surfaces of thallium bromide crystals for use as a radiation detector
dc.typeTese
dc.coverageN
dc.localS??o Paulo


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