Crescimento e caracterização de pontos quânticos de CdMnTe

Growth and characterization of CdMnTe quantum dots

dc.contributorhttp://lattes.cnpq.br/9592382798163051
dc.contributorTeixeira, álvaro Vianna Novaes de Carvalho
dc.contributorhttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4761363J4
dc.contributorSubtil, Andreza Germana da Silva
dc.contributorhttp://lattes.cnpq.br/6439763138876700
dc.contributorFerreira, Sukarno Olavo
dc.contributorhttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4786429E5
dc.contributorMunford, Maximiliano Luis
dc.contributorhttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4791596H8
dc.contributorMartins, Maximiliano Delany
dc.contributorhttp://lattes.cnpq.br/9993549523664329
dc.creatorLage, Marielle Hoalle Moreira Benevides
dc.date2015-03-26T13:35:22Z
dc.date2014-09-15
dc.date2015-03-26T13:35:22Z
dc.date2013-03-06
dc.date.accessioned2023-09-27T21:49:09Z
dc.date.available2023-09-27T21:49:09Z
dc.identifierLAGE, Marielle Hoalle Moreira Benevides. Growth and characterization of CdMnTe quantum dots. 2013. 57 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2013.
dc.identifierhttp://locus.ufv.br/handle/123456789/4269
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8966601
dc.descriptionNa última década, tem-se estudado com grande interesse o crescimento de pontos quânticos com o intuito de conhecer mais sobre a física básica do confinamento zero dimensional e também devido a sua aplicação em dispositivos óptico-eletrônicos. Os níveis de energia podem ser controlados mudando o tamanho, a forma e o material utilizado, sendo assim a morfologia do ponto quântico desempenha um papel importante na determinação das propriedades ópticas do material estudado. Neste trabalho foi utilizada a técnica de crescimento epitaxial por feixe molecular (MBE) para a produção de pontos quânticos do semicondutor magnético diluído CdMnTe sobre substratos de silício (111). Para a produção das amostras, foram variados a temperatura do substrato, o tempo de crescimento e concentração de manganês. As propriedades morfológicas e estruturais das amostras foram analisadas através de Microscopia de Força Atômica (AFM) no Laboratório Nacional de Nanotecnologia, e através de difração de raios-x utilizando a linha XRD2 do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS), em Campinas. Os resultados mostraram que a temperatura do substrato influencia na dispersão de tamanhos das ilhas, o tempo de crescimento altera o tamanho e a qualidade e a concentração de manganês influencia principalmente a qualidade dos pontos quânticos.
dc.descriptionIn the last decade, the growth of quantum dots has been studied with great interest in order to learn more about the basic physics of zero dimensional confinement and also due to their application in optoelectronic devices. The quantum dot energy levels can be controlled by changing the size, shape and material used, therefore its morphology plays an important role in determination of optical and electronic properties. In this study we used the molecular beam epitaxial technique (MBE) for producing CdMnTe quantum dots on silicon (111) substrates. To produce the samples, substrate temperature, growth time and manganese concentration were varied. The morphological and structural properties of the samples were analyzed by Atomic Force Microscopy (AFM) at the Laboratório Nacional de Nanotecnologia and by x- ray diffraction using the XRD2 beam line of the Laboratório Nacional de Luz Síncrontron (LNLS), in Campinas. The results showed that the substrate temperature influences the size dispersion of the islands, the growth time changes the size and the quality and the concentration of manganese affects mainly the quality of the quantum dots.
dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
dc.formatapplication/pdf
dc.formatapplication/pdf
dc.languagepor
dc.publisherUniversidade Federal de Viçosa
dc.publisherBR
dc.publisherFísica Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.
dc.publisherMestrado em Física Aplicada
dc.publisherUFV
dc.rightsAcesso Aberto
dc.subjectEpitaxia
dc.subjectSemicondutores
dc.subjectManganês
dc.subjectSilício
dc.subjectMicroscopia de força atômica
dc.subjectRaios X - Difração
dc.subjectEpitaxy
dc.subjectSemiconductors
dc.subjectManganese
dc.subjectSilicon
dc.subjectAtomic force microscopy
dc.subjectX - Rays
dc.subjectCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA
dc.titleCrescimento e caracterização de pontos quânticos de CdMnTe
dc.titleGrowth and characterization of CdMnTe quantum dots
dc.typeDissertação


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