Análisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia y media potencia

dc.contributorUniversidad Nacional de Asunción - Facultad de Ingeniería
dc.creatorPacher Vega, Julio Cesar
dc.creatorRenault, Alfredo
dc.creatorComparatore Franco, Leonardo David
dc.date2022-04-23T22:05:34Z
dc.date2022-04-23T22:05:34Z
dc.date2016
dc.date.accessioned2023-09-25T13:31:43Z
dc.date.available2023-09-25T13:31:43Z
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/20.500.14066/3218
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8807574
dc.descriptionEl presente trabajo muestra el diseño de un esquema para un controlador de puente-H completo basado en la tecnología SiC- MOSFET utilizado para aplicaciones de alta frecuencia y media tensión. A modo de cuantificar la eficiencia del diseño se realizaron mediciones de las pérdidas por conmutación y las pérdidas por conducción que presentan los semiconductores basados en los resultados experimentales obtenidas en laboratorio con la plataforma experimental montada para tal efecto.
dc.descriptionCONACYT – Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología
dc.descriptionPROCIENCIA
dc.languagespa
dc.relation14-INV-096
dc.rightsopen access
dc.subject5 Energía
dc.subjectPUENTE-H
dc.subjectTECNOLOGIA SIC-MOSFET
dc.subjectENERGIA ELECTRICA
dc.subjectINGENIERIA
dc.titleAnálisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia y media potencia
dc.typeconference poster


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