Desenvolvimento de sensores de gás a partir de óxido semicondutor nanoestruturado

dc.contributorSimões, Alexandre Zirpoli [UNESP]
dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.creatorSouza, Renata Lopes Gonçalves de [UNESP]
dc.date2016-06-07T17:10:57Z
dc.date2016-06-07T17:10:57Z
dc.date2015-12-11
dc.date.accessioned2023-09-12T09:49:49Z
dc.date.available2023-09-12T09:49:49Z
dc.identifierSOUZA, Renata Lopes Gonçalves de. Desenvolvimento de sensores de gás a partir de óxido semicondutor nanoestruturado. 2015. 51 f. Trabalho de conclusão de curso (Bacharelado - Engenharia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista, Faculdade de Engenharia de Guaratinguetá, 2015.
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/139167
dc.identifier000865302
dc.identifierhttp://www.athena.biblioteca.unesp.br/exlibris/bd/capelo/2016-05-30/000865302.pdf
dc.identifier3573363486614904
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8788374
dc.descriptionThe present work aims to study one-dimensional nanomaterials semiconductors grown via by phase systems Grande oxides Technological Interest for applications in gas sensors. The Used material was tin oxide (SnO2) for their functional properties, and the grow method was the Polymeric Precursors. The films grown were the nanomaterials about substrates of alumina, deposited via spin coating technique, followed by heat treatment at 300C for 1 hour and 650C for 2 hours. Later the films of Performance sensors (sensitivity, speed response, selectivity, and stability) will be in avaliated in a hermetic chamber with controlled atmosphere and temperature. The synthesized materials were its structural and morphological properties characterized in atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (not have this result with Me). We sought to investigate one influence of different conditions for obtaining films (Variation Layers number) in structural and microstructural properties of semiconductors oxides. The synthesis method proved very effective, generating films with micro definitely, uniformity of the nanoparticles and hum high level of porosity, what makes the material of a viable final paragraph applicability
dc.descriptionO presente trabalho tem como objetivo estudar nanomateriais semicondutores unidimensionais crescidos via fase vapor de sistemas óxidos de grande interesse tecnológico para aplicações em sensores de gases. O material utilizado foi o óxido de estanho (SnO2) devido às suas propriedades funcionais, e o método de crescimento foi o dos precursores poliméricos. Os filmes dos nanomateriais foram crescidos sobre substratos de alumina, depositados através da técnica de spin coating, seguido de tratamento térmico a 300ºC por 1h e 650ºC por 2h. Posteriormente o desempenho dos filmes sensores (sensibilidade, velocidade de resposta, seletividade, estabilidade) será avaliado em uma câmara hermética com atmosfera e temperatura controladas. Os materiais sintetizados tiveram suas propriedades estruturais e morfológicas caracterizadas por microscopia de força atômica (AFM), microscopia eletrônica de varredura (SEM) e difração de raios-X (XRD). Procurou-se investigar a influência das diferentes condições de obtenção dos filmes (variação do número de camadas) nas propriedades estruturais e microestruturais dos nanomateriais de óxidos semicondutores. O método de síntese mostrou-se bastante eficaz, gerando filmes com microestrutura definida, uniformidade das nanopartículas e um alto nível de porosidade, o que torna o material viável para a aplicabilidade final
dc.format51 f.
dc.languagepor
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.rightsAcesso aberto
dc.sourceAleph
dc.subjectFilmes finos
dc.subjectDetectores quimicos
dc.subjectÓxido estânico
dc.subjectMateriais nanoestruturados
dc.subjectThin films
dc.titleDesenvolvimento de sensores de gás a partir de óxido semicondutor nanoestruturado
dc.typeTrabalho de conclusão de curso


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