Efectos de vacancias de oxígeno sobre las propiedades estructurales y electrónicas del Bulk de TiO2 en fase anatasa

dc.contributorAlcalá Varilla, Luis Arturo
dc.creatorDíaz Díaz, Danna Camila
dc.date2023-01-17T15:33:22Z
dc.date2023-01-17T15:33:22Z
dc.date2023-01-17
dc.date.accessioned2023-09-06T22:03:44Z
dc.date.available2023-09-06T22:03:44Z
dc.identifierhttps://repositorio.unicordoba.edu.co/handle/ucordoba/6897
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8712922
dc.descriptionMediante simulaciones computacionales de primeros principios, en el marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT), se realizó un estudio de los efectos que tienen las vacancias de oxígeno sobre las propiedades estructurales y electrónicas del dióxido de titanio (TiO2) en fase anatasa. Para ello se usó la aproximación de gradiente generalizado en la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE), al igual que la corrección de Hubbard (U). Entre los resultados encontrados se evidencio el carácter semiconductor del TiO2 a partir de cálculos de la densidad de estados y también se determinó que las vacancias de oxígeno producen estados intermedios en la banda prohibida de energía, observando que estos últimos están constituidos principalmente por orbitales d de átomos de titanio próximos a la vacancia.
dc.descriptionRESUMEN………………………………………………………………………………………………………………………………………………….5
dc.descriptionINTRODUCCIÓN…………………………………………………………………………………………………………………………………………6
dc.descriptionFUNDAMENTACIÓN TEÓRICA......................................................................................................................................7
dc.description3.1 DIÓXIDO DE TITANIO (TIO2) ............................................................................................................................ 7
dc.description3.2 MATERIALES CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES Y AISLANTES ............................................................................... 8
dc.description3.2.1 Conductores ................................................................................................................................... 10
dc.description3.2.2 Aislante .......................................................................................................................................... 10
dc.description3.2.3 Semiconductores ............................................................................................................................ 11
dc.description3.2.3.1 Semiconductores intrínsecos .................................................................................................................. 11
dc.description3.2.3.2 Semiconductores extrínsecos .................................................................................................................. 12
dc.description3.3 TEORÍA DEL FUNCIONAL DE LA DENSIDAD (DFT) ................................................................................................ 13
dc.description3.3.1 La densidad electrónica.................................................................................................................. 16
dc.description3.3.2 Método de Thomas-Fermi .............................................................................................................. 17
dc.description3.3.3 Teoremas de Hohenberg-Kohn....................................................................................................... 19
dc.descriptionTeorema 1 ........................................................................................................................................................... 20
dc.descriptionTeorema 2 ........................................................................................................................................................... 20
dc.description3.3.4 Ecuaciones de Kohn-Sham ............................................................................................................. 21
dc.descriptionAnsatz de Kohn – Sham ....................................................................................................................................... 21
dc.descriptionObservaciones importantes ................................................................................................................................ 23
dc.descriptionCiclo de autoconsistencia .................................................................................................................................... 25
dc.description3.3.5 Energía de intercambio y correlación............................................................................................. 25
dc.descriptionAproximación de densidad local (LDA) ................................................................................................................ 26
dc.descriptionAproximación de gradiente generalizado (GGA) ................................................................................................. 26
dc.descriptionLDA vs GGA .......................................................................................................................................................... 27
dc.description3.3.6 Pseudopotenciales ......................................................................................................................... 28
dc.descriptionPseudopotenciales que conservan la norma ....................................................................................................... 29
dc.descriptionPseudopotenciales ultra suaves .......................................................................................................................... 29
dc.descriptionRESULTADOS Y ANÁLISIS…………………………………………………………………………………………………………………………30
dc.descriptionCONCLUSIONES .......................................................................................................................................... 37
dc.descriptionREFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS .................................................................................................................. 38
dc.descriptionPregrado
dc.descriptionFísico(a)
dc.descriptionTrabajos de Investigación y/o Extensión
dc.formatapplication/pdf
dc.formatapplication/pdf
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherFacultad de Ciencias Básicas
dc.publisherMontería, Córdoba, Colombia
dc.publisherFísica
dc.rightsCopyright Universidad de Córdoba, 2023
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.subjectVacancia
dc.subjectAnatasa
dc.subjectDFT
dc.subjectDióxido de titanio
dc.subjectOxígeno
dc.subjectVacancy
dc.subjectAnatasa
dc.subjectDFT
dc.subjectTitanium dioxide
dc.subjectOxygen
dc.titleEfectos de vacancias de oxígeno sobre las propiedades estructurales y electrónicas del Bulk de TiO2 en fase anatasa
dc.typeTrabajo de grado - Pregrado
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.typehttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/submittedVersion
dc.typeText


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