Venezuela | Dissertação

Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla

dc.contributorMartino, J. A.
dc.creatorAndrade, M. G. C.
dc.date2019-03-21T12:32:11Z
dc.date2023-05-03T20:35:23Z
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dc.date2007
dc.date.accessioned2023-08-24T11:28:12Z
dc.date.available2023-08-24T11:28:12Z
dc.identifierANDRADE, M. G. C. <b> Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla. </b> 2007. 120 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007
dc.identifierhttps://hdl.handle.net/20.500.12032/88994
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8419919
dc.languagepor
dc.languagept_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectEngenharia elétrica
dc.subjectTecnologia de silício sobre isolante
dc.titleEstudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla
dc.typeDissertação


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