dc.contributor | Gimenez, S. P. | |
dc.creator | Alati, Daniel Manha | |
dc.date | 2019-03-20T14:00:50Z | |
dc.date | 2023-05-03T20:37:07Z | |
dc.date | 2019-03-20T14:00:50Z | |
dc.date | 2023-05-03T20:37:07Z | |
dc.date | 2012 | |
dc.date.accessioned | 2023-08-24T03:18:51Z | |
dc.date.available | 2023-08-24T03:18:51Z | |
dc.identifier | ALATI, Daniel Manha. <b> Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos. </b> <b></b> 2012. 198 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=230>. Acesso em: 22 maio 2012. | |
dc.identifier | https://hdl.handle.net/20.500.12032/89318 | |
dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8403710 | |
dc.language | por | |
dc.language | pt_BR | |
dc.subject | Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor | |
dc.title | Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos | |
dc.type | Dissertação | |