Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos

dc.contributorGimenez, S. P.
dc.creatorAlati, Daniel Manha
dc.date2019-03-20T14:00:50Z
dc.date2023-05-03T20:37:07Z
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dc.date2012
dc.date.accessioned2023-08-24T03:18:51Z
dc.date.available2023-08-24T03:18:51Z
dc.identifierALATI, Daniel Manha. <b> Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos. </b> <b></b> 2012. 198 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=230>. Acesso em: 22 maio 2012.
dc.identifierhttps://hdl.handle.net/20.500.12032/89318
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8403710
dc.languagepor
dc.languagept_BR
dc.subjectTransistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
dc.titleEstudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos
dc.typeDissertação


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