High-Performance 4 x 1 Multiplexer based on Single-Walled Carbon Nanotube Field Effect Transistor with CMOS-like Pass-Transistor Logic

Multiplexor 4 x 1 de alto rendimiento basado en un transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono de pared simple con lógica de transistor de paso similar a CMOS

dc.creatorFooladvand, Hamed
dc.creatorAbbasian , Karim
dc.creatorBaghban , Hamed
dc.date2020-12-30
dc.date.accessioned2023-08-23T15:07:59Z
dc.date.available2023-08-23T15:07:59Z
dc.identifierhttps://revistascientificasuc.org/index.php/revinguc/article/view/149
dc.identifier10.54139/revinguc.v27i3.149
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8357773
dc.descriptionIn the current research, the best property of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) exploited topropose a high performance 4-input 1-output (4 x 1) Multiplexer, using a CMOS-like Pass Transistor Logic (PTL) designstyle. To enhance a significant reduction in circuit complexity and a corresponding improvement in the performance envelope(power, area and speed) with respect to conventional CMOS equivalent circuit. The operating principles and experimentalresults for the PTL circuits using both p-FET and n-FET of CNTFETs presented. This property can be used in a multiplexercircuit, which transfers one of several input data to the output according to the control signal values. Results demonstratedthat using of CNTFET can be achieved by constructing high performance carbon nanotube-based integrated circuits like logicMultiplexer based on a pass-transistor logic configuration. Further, this circuits can assembly with other circuits based onother Field effect transistors technology like GNR-FETs and improve ALU (Arithmetic Logic Unit) section of many processorICs in high level of Nano-Scale VLSIs. The simulation results presented, and the power consumption compared with theconventional CMOS designs. The comparison of results approved that the CNTFET based design is capable of efficient powersavings and high-speed performance.en-US
dc.descriptionEn los últimos años, según muchos estudios, el transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET)mostró un alto rendimiento en muchos circuitos lógicos debido a sus propiedades y en comparación con otros homólogos desilicio. Sin embargo, garantizar estos beneficios sigue siendo un desafío para la aplicación de circuitos integrados a nanoescala.Debido a sus excelentes características eléctricas y mecánicas, CNTFET es uno de los sustitutos más prometedores de latecnología de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Aunque estas característicasson adecuadas para implementar en varios circuitos digitales prácticos, los circuitos basados en CNTFET resolverán enormesproblemas de fabricación debido a su tamaño. En este artículo, mostramos que se podría obtener una simplificación importantemediante el diseño de circuitos integrados basados en CNTFET a través de una configuración lógica de transistor de paso tipoCMOS en el uso de transistores de efecto de campo, en lugar de la configuración tradicional de semiconductores de óxidode metal complementario (CMOS). La configuración PTL similar a CMOS crea una simplificación notable del diseño delcircuito basado en CNTFET, una mayor velocidad del circuito y una gran reducción en el consumo de energía. Hay muchosproblemas que se enfrentan al integrar un alto nivel de muchos transistores, como el efecto de canal corto, la disipaciónde potencia, el escalado de los transistores, etc. Para superar estos problemas, los Nanotubos de Carbono (CNT) tienenaplicaciones prometedoras en el campo de la electrónica. Los resultados de la simulación presentados y el consumo de energíaen comparación con los diseños CMOS convencionales. La comparación de resultados probó que el diseño basado en CNTFETes capaz de ahorrar energía de manera eficiente y un rendimiento de alta velocidad.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languageeng
dc.publisherUniversidad de Caraboboes-ES
dc.relationhttps://revistascientificasuc.org/index.php/revinguc/article/view/149/228
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es-ES
dc.sourceRevista Ingeniería UC; Vol. 27 Núm. 3 (2020): Diciembre 2020; 294-303es-ES
dc.source2610-8240
dc.source1316-6832
dc.subjecttransistor de efecto de campo de nanotubos de carbonoes-ES
dc.subjectmultiplexores-ES
dc.subjectlógica de transistor de paso tipo CMOSes-ES
dc.subjectretardo de tiempoes-ES
dc.subjectPDPes-ES
dc.subjectCarbon Nanotube Field Effect Transistoren-US
dc.subjectMultiplexeren-US
dc.subjectCMOS-like Pass Transistor Logicen-US
dc.subjectTime Delayen-US
dc.subjectPDPen-US
dc.titleHigh-Performance 4 x 1 Multiplexer based on Single-Walled Carbon Nanotube Field Effect Transistor with CMOS-like Pass-Transistor Logicen-US
dc.titleMultiplexor 4 x 1 de alto rendimiento basado en un transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono de pared simple con lógica de transistor de paso similar a CMOSes-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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