TCAD Simulation for ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator MOSFET: a comparison between COMSOL and Sentaurus

Simulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentaurus

dc.creatorPrócel, Luis Miguel
dc.creatorTrojman, Lionel
dc.date2014-06-13
dc.date.accessioned2023-08-08T20:19:00Z
dc.date.available2023-08-08T20:19:00Z
dc.identifierhttps://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/163
dc.identifier10.18272/aci.v6i1.163
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8068099
dc.descriptionIn the present work, we develop a model for simulating an ultrathin body (10nm) and buried oxide (20nm) fully-depleted silicon-on-insulator MOSFET with SiO2 gate oxide (5nm) by using TCAD-Sentaurus software. We performed DC-simulations for studying the behavior of the threshold voltage and the transconductance. Furthermore, AC-simulations were performed for studying the inversion capacitance and the inversion charge. We compare our results with similar simulations carried out in a previous work in which COMSOL-Multiphysics software was used. We have obtained similar results in both works. However, Sentaurus features more interesting details like introducing a more realistic picture of the physical mechanisms of such complex devices.en-US
dc.descriptionEn el presente trabajo, se desarrolla un modelo para simular un dispositivo MOSFET de silicio en aislante, ultra delgados con oxido enterrado (20m) y agotados completamente con SiO2 (5nm) como compuerta. El software que se usa es TCAD-Sentaurus. Se desarrollaron simulaciones DC para estudiar el comportamiento del voltaje de encendido y la transconductancia. Además, se desarrollaron simulaciones AC para estudiar la capacitancia y carga de inversión. Los resultados fueron comparados con un trabajo previo en el que se usó como simulador al programa COMSOL-Multiphysics. Los resultados obtenidos son muy similares entre ambos trabajos. Sin embargo, Sentaurus ofrece características más interesantes como introducir modelos más reales para los mecanismos físicos de dispositivos complejos.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherUSFQ PRESS, departamento editorial de la Universidad San Francisco de Quito USFQes-ES
dc.relationhttps://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/163/165
dc.sourceACI Avances en Ciencias e Ingenierías; Vol. 6 No. 1 (2014)en-US
dc.sourceACI Avances en Ciencias e Ingenierías; Vol. 6 Núm. 1 (2014)es-ES
dc.source2528-7788
dc.source1390-5384
dc.source10.18272/aci.v6i1
dc.subjectSOI-MOSFETen-US
dc.subjectTCAD-simulationen-US
dc.subjectSentaurusen-US
dc.subjectPoisson"™s equationen-US
dc.subjectdriftdiffusion equationsen-US
dc.subjectSOI-MOSFETes-ES
dc.subjectsimulación TCADes-ES
dc.subjectSentauruses-ES
dc.subjectecuación de Poissones-ES
dc.subjectecuaciones de difusión y derivaes-ES
dc.titleTCAD Simulation for ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator MOSFET: a comparison between COMSOL and Sentaurusen-US
dc.titleSimulación TCAD para un MOSFET de silicio en aislante, ultra fino con óxido enterrado y completamente agotado: una comparación entre COMSOL y Sentauruses-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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