DFT study of the effect in surface energy of metallic overlayers in semiconductors

Estudio DFT del efecto en la energía superficial de sobrecapas metálicas en semiconductores

dc.creatorCuesta, Jéssica
dc.creatorBasile, Leonardo
dc.creatorGonzález, Silvia
dc.date2012-06-30
dc.date.accessioned2023-08-08T20:18:39Z
dc.date.available2023-08-08T20:18:39Z
dc.identifierhttps://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/76
dc.identifier10.18272/aci.v4i1.76
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8068017
dc.descriptionThe surface energy of various systems: semiconductors (Ge and Si), metals (Ag and Pb) and metallic overlayers on semiconductors Ag/Ge and Pb/Si) have been calculated using a DFT approximation. The Pb(111) and Ag(111) adlayers on Si and Ge(111) surfaces had been modeled using the periodic supercell approach. Self-consistent field energy periodic calculations for bulk and surfaces of Ge, Si, Pb and Ag, with 12, 11, 10, 9, 8, 7 and 6 layers and SC12-nMn (where SC is Ge or Si; M is Ag and Pb, respectively and n is the number of layers) metallic adlayers on semiconductor super-system slab models were calculated using plane wave density functional theory, in particular employing the Perdew Wang (PW91) functional. The metallic adlayers on semiconductors modify its surface energy and vice versa. The values for SC12-nMn systems follow a sinusoidal trend in similar way to for semiconductors, but softer. The surface energy values lay in between those corresponding to semiconductors and metals. These results indicate that if the number of metallic overlayers on a semiconductor can be controlled then the surface energy can be addressed.en-US
dc.descriptionSe calculó teóricamente la energía superficial de Ag, Pb, Ge y Si de los sistemas formados por capas metálicas (Ag y Pb) en los semiconductores (Ge y Si), respectivamente para formar los sistemas Ag/Ge y Pb/Si. Para ello, se utilizó el funcional Perdew Wang (PW91) dentro de una aproximación DFT. Para modelar el bulk y las superficies (111) de Ag, Pb, Ge y Si se utilizó el modelo periódico de slab. Los modelos de los semiconductores se construyeron con 12, 11, 10, 9, 8, 7 y 6 capas, los de metales con 1, 2, 3, 4, 5 y 6 capas y para estudiar las monocapas metálicas en los semiconductores se empleó un modelo de 12 capas en total: SC12-nMn (donde SC es Ge o Si; M es Ag y Pb, respectivamente y n es el número de capas). Conforme a los resultados obtenidos, se concluyó que el metal modifica la energía superficial de los semiconductores, y éstos a su vez modifican la energía superficial del metal. Los valores de los sistemas SC12-nMn oscilan en forma similar a la de los semiconductores, aunque con valores intermedios entre el metal y el semiconductor. Estos resultados indican que si el número de monocapas metálicas en un semiconductor se puede controlar, también se puede controlar la energía de superficie del sistema.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherUSFQ PRESS, departamento editorial de la Universidad San Francisco de Quito USFQes-ES
dc.relationhttps://revistas.usfq.edu.ec/index.php/avances/article/view/76/78
dc.sourceACI Avances en Ciencias e Ingenierías; Vol. 4 No. 1 (2012)en-US
dc.sourceACI Avances en Ciencias e Ingenierías; Vol. 4 Núm. 1 (2012)es-ES
dc.source2528-7788
dc.source1390-5384
dc.source10.18272/aci.v4i1
dc.subjectMetallic overlayersen-US
dc.subjectPb/Geen-US
dc.subjectAg/Sien-US
dc.subjectDFTen-US
dc.subjectMonocapas metálicases-ES
dc.subjectmetal-semiconductores-ES
dc.subjectPb/Gees-ES
dc.subjectAg/Sies-ES
dc.subjectDFTes-ES
dc.titleDFT study of the effect in surface energy of metallic overlayers in semiconductorsen-US
dc.titleEstudio DFT del efecto en la energía superficial de sobrecapas metálicas en semiconductoreses-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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