| dc.contributor | Crupi, Felice, director | |
| dc.creator | Sánchez López, Luis Alfredo | |
| dc.date | 2019-10-02T17:03:52Z | |
| dc.date | 2019-10-02T17:03:52Z | |
| dc.date | 2019 | |
| dc.date.accessioned | 2023-08-08T20:15:10Z | |
| dc.date.available | 2023-08-08T20:15:10Z | |
| dc.identifier | Tesis (Magister en Nanoelectrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados; Quito, Ecuador, 2019 | |
| dc.identifier | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8354 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8066993 | |
| dc.description | The present research aims to understand the influence of the charge trapping rate in
Silicon Carbide (SiC) metal-oxide semiconductor-field-e↵ect-transistors (MOSFETs)
which nowadays have special interest for high power applications. It’s very important
the study of the reliability of this new generation of high power devices according to
the applications such as solar inverters.. | |
| dc.description | La presente investigación tiene como objetivo comprender la influencia de la tasa
de captura de carga en transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
(MOSFET) de carburo de silicio (SiC), que en la actualidad tienen un interés especial
para aplicaciones de alta potencia. Es muy importante el estudio de la confiabilidad de
esta nueva generación de dispositivos de alta potencia de acuerdo con las aplicaciones
tales como inversores solares... | |
| dc.format | 57 h. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | spa | |
| dc.publisher | Quito | |
| dc.rights | openAccess | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/ | |
| dc.subject | Nanoelectrónica -- Investigaciones -- Tesis y disertaciones académicas. | |
| dc.subject | Materiales nanoestructurados. | |
| dc.subject | Circuitos integrados. | |
| dc.subject | Tecnología | |
| dc.subject | Ingeniería electrónica | |
| dc.title | Threshold voltage instability in silicon carbide power MOSFET | |
| dc.type | masterThesis | |
