Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions

dc.creatorPedro Rosales Quintero
dc.creatorMARIO MORENO MORENO
dc.creatorALFONSO TORRES JACOME
dc.creatorFRANCISCO JAVIER DE LA HIDALGA WADE
dc.creatorJoel Molina Reyes
dc.creatorWilfrido Calleja Arriaga
dc.creatorCARLOS ZUÑIGA ISLAS
dc.date2011
dc.date.accessioned2023-07-25T16:24:25Z
dc.date.available2023-07-25T16:24:25Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1833
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7807024
dc.descriptionThe charge transport mechanisms occurring in n-type a-SiGe:H on p-type c-Si heterojunctions were determined by analyzing the temperature dependence of the current-voltage characteristics in structures with four different peak base doping concentrations (NB = 1x10^15, 7x10^16, 7x10^17 and 5x10^18 cm-3). From the experimental results, we observed that at low forward bias (V< 0.45V) the current is determined by electron diffusion from the n-type amorphous film to the p-type c-Si for the heterojunction with NB = 1x10^15cm-3, whereas the Multi- Tunneling Capture Emission (MTCE) was identified as the main transport mechanism for the other base doping concentrations. On the other hand, at high forward bias (V> 0.45V), the space charge limited current effect became the dominant transport mechanism for all the measured devices. Under reverse bias the transport mechanisms depends on the peak base doping, going from carrier generation inside the space charge region for the lowest doping, to hopping and thermionic field emission as the base doping concentration is increased.
dc.descriptionHeterouniones de a-SiGe:H tipo-n sobre silicio cristalino tipo-p con cuatro diferentes concentraciones pico en la base (1x10^15, 7x10^16, 7x10^17 y 5x10^18 cm-3) fueron fabricadas y caracterizadas. Los mecanismos de transporte se determinaron por medio de sus curvas características de corriente vs voltaje en función de la temperatura. El análisis de los resultados muestra que a bajos voltajes de polarización directa (V< 0.45V) en la heterounión con la menor concentración pico la corriente es determinada por la difusión de electrones del a-SiGe:H tipo-n hacia el silicio cristalino tipo-p. Mientras que el multituneleo captura-emisión (MTCE) es el principal mecanismo de transporte en las otras heterouniones. A altos voltajes de polarización directa (V> 0.45V) el efecto de corriente limitada por carga espacial (SCLC) es el mecanismo de transporte dominante en todos los dispositivos caracterizados. El incremento en la concentración de dopantes en la base, además, causa un aumento en la corriente inversa.
dc.formatapplication/pdf
dc.languageeng
dc.publisherRevista Mexicana de Física
dc.relationcitation:Rosales-Quintero, P. , et al., (2011). Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions, Revista Mexicana de Física, Vol. 57 (2): 133–139
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Amorphous semiconductors/Amorphous semiconductors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Heterojunction diodes/Heterojunction diodes
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Transport mechanisms/Transport mechanisms
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Base doping concentration/Base doping concentration
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Semiconductores amorfos/Semiconductores amorfos
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Heterouniones/Heterouniones
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Mecanismos de transporte/Mecanismos de transporte
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Concentración de dopantes en la base/Concentración de dopantes en la base
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.titleImpact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.audiencestudents
dc.audienceresearchers
dc.audiencegeneralPublic


Este ítem pertenece a la siguiente institución