Characterization of silicon rich oxides with tunable optical band gap on sapphire substrates by photoluminescence, UV/Vis and raman spectroscopy

dc.creatorJOSE ALBERTO LUNA LOPEZ
dc.creatorMARIANO ACEVES MIJARES
dc.date2008
dc.date.accessioned2023-07-25T16:22:53Z
dc.date.available2023-07-25T16:22:53Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/1056
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7806255
dc.descriptionA detailed analysis of the optical properties of silicon rich oxides (SRO) thin films and the factors that influence them is presented. SRO films with different Si content were synthesized via LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) on sapphire substrates. Photoluminescence (PL), UV/Vis and Raman spectroscopy were used to characterize the samples. An intense emission in blue region was found. An interesting fact is that the optical band gap correlates linearly with the reactants ratio, which allows the tuning of the band gap. The influence of parameters such as substrate, Si content, annealing temperature and annealing time on the optical properties are discussed and the possible mechanisms of the photoluminescence are compared with our experimental data.
dc.descriptionSe presenta un análisis detallado de las propiedades ópticas de películas delgadas de oxido de silicio rico en silicio (SRO) y los factores que tienen influencia en las propiedades físicas. Películas de SRO con diferente contenido de silicio fueron depositadas por LPCVD (Deposito químico en fase vapor a baja presiónlow pressure chemical vapor deposition) sobre substratos de zafiro. Fotoluminiscencia (FL) espectroscopia UV/Vis y Raman se usaron para caracterizar las muestras. Se encontró una intensa emisión en la región azul. La característica más interesante es la banda prohibida óptica, que se correlaciona linealmente con la razón de los reactivos, lo cual permite el ajuste de la banda prohibida. Las influencias de los parámetros como el substrato, contenido de silicio, temperatura y tiempo de recocido en las propiedades ópticas se discuten y los posibles mecanismos de fotoluminiscencia son comparados con los datos experimentales.
dc.formatapplication/pdf
dc.languageeng
dc.publisherSociedad Química de México
dc.relationcitation:Ragnar K., et al., (2008). Characterization of silicon rich oxides with tunable optical band gap on sapphire substrates by photoluminescence, UV/Vis and raman spectroscopy, J. Mex. Chem. Soc., 52 (3): 212-218
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Silicon rich oxides/Silicon rich oxides
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Optical properties/Optical properties
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Photoluminiscence/Photoluminiscence
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dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Óxidos de silicio/Óxidos de silicio
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dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Fotoluminiscencia/Fotoluminiscencia
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
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dc.titleCharacterization of silicon rich oxides with tunable optical band gap on sapphire substrates by photoluminescence, UV/Vis and raman spectroscopy
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.audiencestudents
dc.audienceresearchers
dc.audiencegeneralPublic


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