Sensores ópticos de silicio con doble barrera con amplificación de señal

dc.creatorALFONSO TORRES RIOS
dc.date2007-02
dc.date.accessioned2023-07-25T16:22:02Z
dc.date.available2023-07-25T16:22:02Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/658
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805875
dc.descriptionEn esta tesis se presenta el diseño y estudio de un detector óptico formado por dos barreras de potencial en los lados opuestos de una oblea de silicio cristalino de alta resistividad. La primera barrera es formada por múltiples diodos Schottky (Ti-Si) rodeados por capacitores MOS (Ti-SiO2-Si). La segunda barrera de potencial es formada por una unión Low-High. La estructura presenta amplificación de ganancia en ambas polarizaciones de voltaje. Cuando se ilumina al detector que se encuentra polarizado con un voltaje negativo en el electrodo de titanio semitransparente se crean campos eléctricos altos en la periferia de los capacitores y el diodo Schottky los cuales afectan la altura efectiva de la barrera y producen un aumento en el flujo de electrones que van del metal hacia el semiconductor. Así, la ganancia de este detector está basado en aprovechar el efecto que se presenta en los bordes de los capacitor MOS y el Diodo Schottky. Cuando el detector se polariza positivamente, la ganancia en fotocorriente corresponde a la de una unión Low-High, que ya ha sido estudiada, y es usada en este trabajo para poder hacer una comparación entre los dos tipos de amplificación de fotocorriente. Además, el proceso de fabricación de este tipo de detector permite ser implementado en un proceso CMOS.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Torres-Rios A
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Fotodetectores/Photodetectors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Barrera Schottky/Schottky barrier
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Condensadores MOS/MOS capacitors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/330793
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dc.titleSensores ópticos de silicio con doble barrera con amplificación de señal
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.audiencestudents
dc.audienceresearchers
dc.audiencegeneralPublic


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