| dc.contributor | CLAUDIA REYES BETANZO | |
| dc.creator | CARLOS ALVAREZ MACIAS | |
| dc.date | 2007-02 | |
| dc.date.accessioned | 2023-07-25T16:21:52Z | |
| dc.date.available | 2023-07-25T16:21:52Z | |
| dc.identifier | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/578 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805796 | |
| dc.description | El silicio monocristalino, por sus propiedades mecánicas, es ampliamente usado
en la fabricación de sistemas microelectromecánicos (MEMS – Micro
ElectroMechanical Systems), los cuales requieren alta definición de estructura. Una vez
que se conoce el método de grabado seco y cómo funciona, se observa que es la técnica
idónea para la fabricación de dispositivos de tamaños micrométricos, ya que permite
realizar la transferencia fiel de los patrones del enmascarante hacia el sustrato y obtener
al mismo tiempo grandes profundidades de grabado en tiempos cortos.
Hasta ahora, en el laboratorio de microelectrónica del INAOE únicamente se
utiliza la técnica de grabado húmedo para la fabricación de estos sistemas [1-3]. Con el
equipo de grabado RIE/ICP (Reactive Ion Etching/Inductively Coupled Plasma), se
tendrá la capacidad de fabricar estos microsistemas usando grabado seco o asistido por
plasma en dos modos de operación: inductivo y capacitvo. El trabajo tiene como
objetivo principal caracterizar la velocidad de grabado y paredes verticales variando los
parámetros del proceso (potencia, presión, flujos, tipo y mezclas de gases), es decir,
mediante la optimización del proceso de grabado se deben satisfacer los requerimientos
para el micromaquinado de silicio monocristalino en volumen para aplicaciones en
MEMS.
Para cumplir con el objetivo, durante el desarrollo experimental se emplearon
cinco tipos de gases y sus mezclas, estos son: SF6, Ar, CF4, O2 y CHF3. Los rangos de
presión se utilizaron entre 25 y 100 mtorr. La potencia se manejó entre 25 y 100 W para
el modo RIE y entre 100 y 750 W para el modo ICP. Se utilizaron tres diferentes
distancias entre la muestra y el embobinado del modo ICP. Los flujos de gases se
mantuvieron en un rango de hasta 100 sccm. Los experimentos se realizaron a
temperatura ambiente.
En los resultados se observó el efecto de los parámetros de proceso sobre la
velocidad de grabado y el perfil de las estructuras grabadas. Se lograron velocidades de
grabado isotrópico mayores a 13 μm/min, óptimas para aplicaciones en MEMS, con la
mezcla SF6/O2. Para la obtención de un perfil anisotrópico se requiere del balance de las
componentes física y química de grabado. La máxima velocidad de grabado
anisotrópico fue de 3.22 μm/min, en plasmas de SF6/O2. Se recurrió al proceso de
grabado BOSCH como otra alternativa para obtener perfiles anisotrópicos, obteniendo
velocidades de hasta 2.7 μm/min. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | spa | |
| dc.publisher | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| dc.relation | citation:Alvarez-Macías C | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Plasma/Plasma | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Aguafuerte/Etching | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Silicio/Silicon | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/1 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/22 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/330713 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/330713 | |
| dc.title | Micromaquinado de silicio monocristalino mediante grabado seco | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/acceptedVersion | |
| dc.audience | students | |
| dc.audience | researchers | |
| dc.audience | generalPublic | |
