Fabricación y caracterización de transistores de pelicula delgada de a-SiGe:H

dc.contributorPEDRO ROSALES QUINTERO
dc.contributorALFONSO TORRES JACOME
dc.creatorMIGUEL ANGEL DOMINGUEZ JIMENEZ
dc.date2008-07
dc.date.accessioned2023-07-25T16:21:31Z
dc.date.available2023-07-25T16:21:31Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/422
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805640
dc.descriptionEn años recientes los transistores de película delgada (TFTs) han sido utilizados como elementos de conmutación en pantallas de cristal líquido de matriz activa (AMLCD), ya que los materiales con que éstas se fabrican son depositados a temperaturas menores a 320 °C y en sustratos de áreas grandes [1]. El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) ha sido el material mas utilizado como capa activa de estos dispositivos, pero debido a sus bajos valores de movilidad de portadores, es que se han buscado otras alternativas, tales como el uso de silicio policristalino y otros materiales microcristalinos [2]. Sin embargo, el depósito de materiales microcristalinos se realiza a temperaturas mayores a 600 °C. Lo que aumenta el costo de los dispositivos fabricados pues se requiere el uso de substratos más caros. Investigaciones realizadas en el Laboratorio de Microelectrónica del INAOE muestran que la película de silicio germanio amorfo hidrogenado (a-SiGe:H), depositada a una frecuencia de 110 KHz y con una relación de concentraciones en fase gaseosa [GeH4/(SiH4+GeH4)] igual a 0.10, posee excelentes propiedades electrónicas, como son los valores de movilidad de electrones y huecos, de 60 y 10 cm2 V-1 s-1, respectivamente. Esto nos lleva a plantear la hipótesis de que se puede optimizar el funcionamiento de estos dispositivos y seguir utilizando sustratos económicos de vidrio y plástico, con el uso de esta película como capa activa de los TFTs. En este trabajo se describe el proceso de fabricación de los TFTs de a-SiGe:H. Así como la caracterización del dispositivo para determinar los parámetros de interés y las principales figuras de mérito.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Domínguez-Jiménez MA
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Transistores de película delgada/Thin film transistors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Semiconductores amorfos/Amorphous semiconductors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Barreras Schottky/Schottky barriers
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/330703
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dc.titleFabricación y caracterización de transistores de pelicula delgada de a-SiGe:H
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.audiencestudents
dc.audienceresearchers
dc.audiencegeneralPublic


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