| dc.contributor | MARIANO ACEVES MIJARES | |
| dc.contributor | ZHENRUI YU | |
| dc.creator | KARIM MONFIL LEYVA | |
| dc.date | 2009 | |
| dc.date.accessioned | 2023-07-25T16:21:30Z | |
| dc.date.available | 2023-07-25T16:21:30Z | |
| dc.identifier | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/412 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805630 | |
| dc.description | En los últimos años se ha intensificado la búsqueda de dispositivos
optoelectrónicos basados en silicio (Si) y sobrepasar su desventaja como
semiconductor de banda indirecta. Actualmente el óxido de silicio enriquecido (SRO)
se considera uno de los materiales con mayor potencial para aplicaciones
optoelectrónicas porque se obtiene fácilmente por diferentes técnicas, es compatible
con el proceso metal-óxido-semiconductor (MOS) y presenta importantes
propiedades ópticas como baja reflectancia, absorción en el espectro ultravioleta,
fuerte emisión en el visible así como interesantes propiedades eléctricas como
atrapamiento de carga, bloqueo Coulómbico, tuneleo directo y tuneleo Fowler
Nordheim.
En este trabajo se presenta un estudio de propiedades ópticas y eléctricas de
estructuras de SRO multicapas obtenidas depósito químico por vapor a baja presión
(LPCVD) sin y con implantación de Si. El exceso de Si en las películas de SRO fue
controlado por la razón dada por Ro=N2O/SiH4. Los efectos combinados producidos
por el apilamiento de capas de SRO, la implantación de silicio e incremento en la
dosis de implantación sobre la fotoluminiscencia (PL) de las multicapas fueron
analizados. Los espectros de absorbancia fueron obtenidos para identificar
compuestos y tipos de enlace. La morfología superficial fue investigada empleando
microscopía de fuerza atómica (AFM). Las propiedades estructurales fueron
obtenidas mediante microscopía de transmisión de electrones (TEM). Los
mecanismos de inyección de carga fueron investigados mediante mediciones de
capacitancia-voltaje (C-V) y corriente-voltaje (I-V). Las muestras multicapas
confirmaron la fuerte relación entre el exceso de Si y la PL, absorción óptica,
morfología superficial, microestructura y mecanismo de conducción. La implantación
de silicio no mostró una influencia significativa al aplicarse en muestras con SRO
multicapas a diferencia de lo observado en capas sencillas.
En el trabajo también se presentan los resultados y análisis de algunas de las
principales propiedades ópticas de películas con Ro=30 al variar el grosor de las
mismas. Las capas sencillas con Ro=30 confirmaron la relación y efecto de volumen
del SRO asociado con la PL y el mecanismo de emisión. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | eng | |
| dc.publisher | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| dc.relation | citation:Monfil-Leyva K. | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Silicon/Silicon | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Luminiscencia/Luminiscence | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Vapor químico/Chemical vapour | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Multilayers/Multilayers | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Nanocompuestos/Nanocomposites | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/1 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/22 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
| dc.title | Study of luminescence on multiple SRO structures with the posibility to obtain electroluminescence | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/acceptedVersion | |
| dc.audience | students | |
| dc.audience | researchers | |
| dc.audience | generalPublic | |
