| dc.contributor | WILFRIDO CALLEJA ARRIAGA | |
| dc.contributor | MARIO ENRIQUE RODRIGUEZ GARCIA | |
| dc.creator | DELIA MARIA HURTADO CASTAÑEDA | |
| dc.date | 2009 | |
| dc.date.accessioned | 2023-07-25T16:21:27Z | |
| dc.date.available | 2023-07-25T16:21:27Z | |
| dc.identifier | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/390 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805608 | |
| dc.description | The Micro and Nano-Electronics industry is starting to use high-index silicon
substrates which show textured and stable surfaces enabling the fabrication
of new approach of MOS transistors and other technologies based on several
crystallographic orientations.
Photothermal Radiometry technique was used in this work to obtain electronic
parameters on high index crystallographic orientation silicon wafers. This
technique is non-destructive, non-invasive and non-contact, and allow
monitor sub-superficial structures and carrier transport properties in
semiconductor materials as: i) minority carrier lifetime (ƭ); ii) back and front
surface recombination velocities (S1, S2); iii) carrier diffusion coefficient (hole,
electron) (Dp, Dn). Also this technique allows studying kinetic surface
pasivation process by means of time signal evolution. Electronic parameters
test was done through Photocarrier Radiometry (PCR) that gets electronic
emission in 0.8 α 1.75µm range.
Quantitative results of transport properties in semiconductor silicon wafers
was gotten fitting the amplitude and phase of PCR signal in a theoretical
model using a multi-parametric fit program, where square variance was
minimize by means of square minimums methodology. | |
| dc.description | La industria de micro y nano-electrónica ha comenzando a utilizar sustratos
de alto índice cristalino con superficies estables y morfología texturizada que
juegan un papel importante en la operación de dispositivos superficiales, así
como en las tecnologías dependientes de la orientación cristalina del
sustrato.
En este trabajo se utilizó la técnica de Radiometría Fototérmica Infrarroja
(RFI) para la obtención de parámetros electrónicos sobre obleas de silicio de
alto índice cristalino. Estas técnicas tienen como ventaja que son de nocontacto,
no- invasiva y no- destructiva, además de permitir monitorear
estructuras sub-superficiales y propiedades de transporte de los portadores
en materiales semiconductores como son: i) tiempo de vida de portadores
minoritarios(ƭ); ii) velocidad de recombinación frontal y trasera (S1, S2); iii)
coeficiente de difusión de portadores (electrones-huecos) (Dn, Dp). De igual
manera nos permitió estudiar la cinética de los procesos de pasivación de las
superficies por medio de la evolución de la señal en el tiempo. La evaluación
de los parámetros electrónicos se realizó mediante la técnica de Radiometría
de Fotoportadores (PCR, por sus siglas en inglés), que sólo es sensible a las
emisiones electrónicas en el espectro de longitud de onda de 0.8 α 1.75µm.
Los resultados cuantitativos de las propiedades de transporte electrónico se
obtuvieron ajustando la amplitud y fase de la señal experimental en un
modelo teórico utilizando un programa de ajuste multi-paramétrico, donde la
varianza media cuadrada es minimizada por medio del método de mínimos
cuadrados. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | spa | |
| dc.publisher | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| dc.relation | citation:Hurtado-Castañeda D.M. | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Espectroscopia fototérmica/Photothermal spectroscopy | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Radiometría/Radiometry | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Silicio/Silicon | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/1 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/22 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
| dc.title | Caracterización de obleas de silicio utilizando radiometría fototérmica | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/acceptedVersion | |
| dc.audience | students | |
| dc.audience | researchers | |
| dc.audience | generalPublic | |
