| dc.contributor | JOEL MOLINA REYES | |
| dc.creator | RENE VALDERRAMA BERNARDINO | |
| dc.date | 2013-11 | |
| dc.date.accessioned | 2023-07-25T16:21:12Z | |
| dc.date.available | 2023-07-25T16:21:12Z | |
| dc.identifier | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/248 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805468 | |
| dc.description | El proceso tecnológico y el escalamiento de los dispositivos
electrónicos han llevado a la exploración de nuevas áreas en la industria de
dispositivos semiconductores y de memorias no-volátiles (NVM). Las últimas
generaciones de memorias de datos no-volátiles tienen características tales
como una alta densidad y bajo costo, acceso rápido de escritura y lectura,
baja energía de operación, alto desempeño con respecto a la retención de
datos, etc. Actualmente, diversos dispositivos de memoria flash basados en
silicio presentan características de desempeño eficientes debido a su alta
densidad de integración monolítica y bajo costo de fabricación. Sin embargo
el continuo incremento en la densidad de estos dispositivos (reduciendo con
ello las dimensiones geométricas físicas de los mismos) ha orillado a caer en
los límites físicos de operación y en un alta corriente de fuga debido a la
reducción en el espesor físico del dieléctrico clásico (oxido de silicio SiO2).
Para cubrir estos problemas, una variedad de conceptos de memoria
alternativos está siendo explorada, más notablemente memorias emergentes
no-volátiles basadas en el recientemente descubierto efecto menristivo o
resistencia con memoria. El comportamiento de memristancia es el cambio
entre dos estados resistivos, uno altamente resistivo (HRS) y otro
ligeramente resistivo (LRS). Los óxidos metálicos binarios presentan
propiedades de conmutación resistiva, alta constante dieléctrica (mayor que
el SiO2) que permite aumentar el espesor físico de los óxidos, mientras se
mantiene la misma capacitancia y con ello la notable disminución de la
corriente de fuga en los dispositivos MOS, además de su alta compatibilidad
con los procesos CMOS convencionales. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | spa | |
| dc.publisher | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
| dc.relation | citation:Valderrama-Bernardino R. | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Nonvolatile RAM/Nonvolatile RAM | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Resistividad electrica/Electrical resistivity | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/Al2O3/Al2O3 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/1 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/22 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
| dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
| dc.title | Caracterización de dispositivos memristivos basados en estructuras MIM fabricados a baja temperatura | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/acceptedVersion | |
| dc.audience | students | |
| dc.audience | researchers | |
| dc.audience | generalPublic | |
