dc.contributor | LIBRADO ARTURO SARMIENTO REYES | |
dc.contributor | HECTOR VAZQUEZ LEAL | |
dc.creator | CARLOS MANUEL HERNANDEZ MEJIA | |
dc.date | 2015-02 | |
dc.date.accessioned | 2023-07-25T16:20:54Z | |
dc.date.available | 2023-07-25T16:20:54Z | |
dc.identifier | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/112 | |
dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805333 | |
dc.description | A partir de la publicación revolucionaria del Profesor Chua en los años 70’s, el concepto
del memristor ha sido introducido. Sin embargo, tuvo que transcurrir un periodo aproximadamente
de 40 años para que la concepción física del memristor se llevara a cabo por
los laboratorios HP en el 2008. Hoy en día, este dispositivo emergente ha sido empleado
en nuevas aplicaciones; las cuales abarcan desde el desarrollo de memorias modernas hasta
circuitos analógicos en combinación con elementos convencionales para obtener funcionalidades
novedosas. Lo anterior ha provocado la necesidad de modelos apropiados del memristor
para llevar a cabo simulaciones de circuitos con el proposito de ayudar en el flujo
de diseño de circuitos y sistemas memristivos. La presente tesis introduce una novedosa
metodología de modelado para generar expresiones semi-simbólicas del memristor en forma
de modelos orientados a la simulación de circuitos en los dominios de DC y tiempo. Estos
modelos son expresados mediante relaciones de rama voltaje-corriente; es decir, modelos
funcionales del memristor. Además, una atención especial es dedicada durante el proceso
de generación para verificar que las principales señas de identidad del memristor sean
cumplidas; lo cual significa que los modelos propuestos poseen las propiedades para ser
considerados verdaderos memristores. Los modelos han sido caracterizados detalladamente
con respecto a varios parámetros del dispositivo asumiendo los valores del laboratorio de
HP. En el último paso de la metodología, los modelos son establecidos mediante bloques
funcionales; los cuales se pueden utilizar por las herramientas industriales de simulación
de circuitos integrados, tales como SPICE. Los modelos del memristor han sido probados
mediante una serie de circuitos con resultados satisfactorios. | |
dc.format | application/pdf | |
dc.language | eng | |
dc.publisher | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
dc.relation | citation:Hernandez-Mejia C.M. | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/Modelado/Semiconductor device modelling | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/Análisis de circuitos/Computer-aided circuit analysis | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/Teoría del circuitos/Circuit theory. | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/1 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/22 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/220301 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/220301 | |
dc.title | Development of a modeling methodology for circuits with memristors | |
dc.type | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis | |
dc.audience | generalPublic | |