dc.contributorMARIANO ACEVES MIJARES
dc.contributorMARCO ANTONIO VASQUEZ AGUSTIN
dc.creatorORLANDO CORTAZAR MARTINEZ
dc.date2015-02
dc.date.accessioned2023-07-25T16:20:53Z
dc.date.available2023-07-25T16:20:53Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/107
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805328
dc.descriptionEl desarrollo de la tecnología de nanocristales en silicio ha tenido un gran auge en las últimas décadas desde que se demostró por primera vez la emisión fotoluminiscente (FL) a temperatura ambiente en películas de silicio poroso. Esto debido a la necesidad de integrar fuentes de luz basadas en silicio con circuitos optoelectrónicos basados en la tecnología del silicio. Desde entonces se ha puesto un gran interés en el estudio de las propiedades del silicio a escalas nanométricas, ya sea en el silicio poroso o en estructuras que contengan nanocristales de silicio dentro de una matriz aislante como el óxido de silicio. Estos nanomateriales pueden ser fabricados por una gran variedad de técnicas como lo son: Deposito Químico en Fase Vapor (CVD), Implantación Iónica, y Pulverización catódica, entre otras. Sin embargo, para la mayoría de estas técnicas es necesario aplicar altas temperaturas de aleación para incrementar la formación y aglomeración de los nanocristales de silicio que produzcan emisión FL. Normalmente el proceso de aleación se realiza en ambiente de Nitrógeno, Oxigeno o Hidrogeno.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Cortazar-Martinez O.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Nanopowders/Nanopowders
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Fotoluminiscencia/Photoluminescence
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Oxidación/Oxidation
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Óptica/Optics
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Emisión/Emission
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.titleCaracterización de nanocristales de silicio obtenidos a temperatura ambiente
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.audiencegeneralPublic


Este ítem pertenece a la siguiente institución