Fabricación de heterouniones con un Óxido Conductor Transparente (TCO) y Óxido de Silicio fuera de estequiometría (SRO)

dc.contributorMARIANO ACEVES MIJARES
dc.contributorMARCO ANTONIO VASQUEZ AGUSTIN
dc.creatorMARCO POLO GONZÁLEZ ARROYO
dc.date2015-08
dc.date.accessioned2023-07-25T16:20:48Z
dc.date.available2023-07-25T16:20:48Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/62
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805283
dc.descriptionEn este trabajo se presenta el proceso de fabricación y caracterización de una heterounión obtenida al depositar una película de un óxido conductor transparente (TCO) sobre una película de óxido de silicio rico en silicio (SRO). Como TCO se propuso usar una película de óxido de indio impurificado con zinc (IZO) u óxido de zinc impurificado con aluminio (AZO). Como primera etapa, se presentan los resultados de la caracterización de películas IZO y AZO depositadas sobre sustratos de vidrio Corning mediante la técnica de depósito RF Magnetrón Sputtering. El depósito de películas IZO se realizó usando un blanco cerámico de IZO (In2O3:ZnO, 90:10 wt% de Kurt J. Lesker) en ambiente de argón a temperatura ambiente. La caracterización eléctrica, óptica, estructural y morfológica de estas películas se realizó mediante mediciones de 4 Puntas, Efecto Hall, Transmitancia, Fotoluminiscencia, Difracción de Rayos X (XRD) y Microscopio de Fuerza Atómica (AFM). El estudio de las películas se realizó en función de los parámetros de depósito como potencia, presión, tiempo, flujo de oxígeno durante el depósito y tratamientos térmicos post-depósito.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Gonzalez-Arroyo M.P.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Óxidos conductores transparentes/Transparent conducting oxides
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Óxido de silicio/Silicon rich oxide
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Heterouniones/Heterojunctions
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.titleFabricación de heterouniones con un Óxido Conductor Transparente (TCO) y Óxido de Silicio fuera de estequiometría (SRO)
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.audiencegeneralPublic


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