dc.contributorROBERTO STACK MURPHY ARTEAGA
dc.contributorREYDEZEL TORRES TORRES
dc.creatorJOSÉ VALDÉS RAYÓN
dc.date2016-02-11
dc.date.accessioned2023-07-25T16:20:46Z
dc.date.available2023-07-25T16:20:46Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/49
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805270
dc.descriptionActualmente, las aplicaciones de RF trabajan con señales eléctricas que tienen frecuencias del rango de las microondas, permitiendo a los diseñadores de circuitos integrados utilizar dispositivos pasivos en un chip. Los inductores integrados más utilizados son los hechos con geometrías espirales, pues son compatibles con los procesos de fabricación de la tecnología CMOS. Sin embargo, éstos presentan desventajas tales como pérdidas por el substrato y un bajo factor de calidad. Una solución a estos problemas es la implementación de un escudo de tierra entre el dispositivo y el substrato. En la mayoría de sus aplicaciones este escudo está aterrizado, lo que genera un lazo de corriente entre el inductor y el escudo, dando lugar a una inductancia adicional.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Valdes-Rayon J.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Inductores espirales/Spiral inductors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Inductancia intrínseca/Intrinsic inductance
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Modelo T/Model T
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Modelo escalable/Model scalable
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/220307
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/220307
dc.titleModelado, medición y caracterización de inductores integrados
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.audiencegeneralPublic


Este ítem pertenece a la siguiente institución