dc.creatorDULCE GUADALUPE MURIAS FIGUEROA
dc.date2016-06-24
dc.date.accessioned2023-07-25T16:20:42Z
dc.date.available2023-07-25T16:20:42Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/11
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805237
dc.descriptionEn esta tesis, se reporta la optimización en la formación de estructuras tipo piramidales en la superficie de sustratos de silicio cristalino (c-Si), obtenidas por procesos de texturizado de plasma de SF6/O2. Las obleas de c-Si texturizadas tienen valores de reflectancia difusa muy bajas, de hasta 2.9%. Estos valores son mucho más bajos que los reportados utilizando procesos de texturizado húmedos basados en soluciones de KOH y NaOH, los que se encuentran en un rango de 12-14%. También se hace énfasis en la dependencia que la uniformidad y forma del texturizado tienen con la temperatura del substrato y cómo éste parámetro contribuye a obtener superficies altamente texturizadas. Siendo esta aportación la más importante de este trabajo, ya que no se había reportado en la literatura.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Murias-Figueroa D. G.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Textura del plasma/Plasma Texturing
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Silicon/Amorphous Silicon
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Elementos pasivos/Passivation
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/7
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/33
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/3312
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/3312
dc.titleEstudio de pasivación de sustratos de c-Si y texturizado por plasma para aplicaciones en celdas solares de heterounión
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.audiencegeneralPublic


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