DINÁMICA DE LÁSERES DE SEMICONDUCTOR CON CAVIDADES EXTERNAS

dc.contributorAlexander Pisarchik
dc.creatorFLAVIO RODRIGO RUIZ OLIVERAS
dc.date2006-06
dc.date.accessioned2023-07-21T15:15:12Z
dc.date.available2023-07-21T15:15:12Z
dc.identifierhttp://cio.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1002/778
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7725555
dc.description"El objetivo de esta tesis es hacer un estudio teórico sobre la dinámica del láser de semiconductor con cavidades externas. Este se basa en un modelo conocido como las ecuaciones de Lang-Kobayashi, ya que este modelo ha sido utilizado extensivamente para modelar láseres de semiconductor con retroalimentación óptica. Algunas de las soluciones numéricas de estas ecuaciones han sido demostrados experimentalmente en algunos artículos (ver referencias 4, 5, 6, 7, y 27). El láser de semiconductor con cavidades externas consiste principalmente de un láser de diodo con un espejo exterior que vuelve a introducir la señal de salida a la cavidad del láser. La importancia de este estudio es debido a la aplicación de este tipo de láseres en sistemas de comunicación, en especial aquellos donde se quiere tener seguridad o encriptamiento de información, aunque este tipo de láseres también tienen otras aplicaciones como pueden ser los sensores. El análisis se realiza para distintas situaciones donde se utilizan como parámetros de control algunas de las características del láser, como puede ser la longitud de la cavidad externa, la cantidad de luz retroalimentada o el parámetro de bombeo."
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.relationcitation:Ruiz Oliveras, (2006). "Dinámica de láseres de semiconductor con cavidades externas". Tesis de Maestría en Ciencias (Óptica). Centro de Investigaciones en Óptica, A.C. León, Guanajuato. 103 pp.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/AUTOR/LÁSER DE SEMICONDUCTOR, RETROALIMENTACIÓN ÓPTICA., BIFURCACIÓN, CAVIDADES EXTERNAS, ANÁLISIS DE FRECUENCIAS
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2209
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/220910
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/220910
dc.titleDINÁMICA DE LÁSERES DE SEMICONDUCTOR CON CAVIDADES EXTERNAS
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.coverageLeón, Guanajuato
dc.audiencegeneralPublic


Este ítem pertenece a la siguiente institución