Optimización teórica y experimental de un amplificador de bajo ruido criogénico en banda X

Experimental and theoretically optimization of an X-band cryigenic low noise amplifier

dc.contributorARTURO VELAZQUEZ VENTURA
dc.creatorRAMON ANTONIO BELTRAN LIZARRAGA
dc.date2004
dc.date.accessioned2023-07-20T16:23:55Z
dc.date.available2023-07-20T16:23:55Z
dc.identifierhttp://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3869
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7718833
dc.descriptionUno de los componentes más importantes en los receptores de microondas es el amplificador de bajo ruido, cuya figura de ruido afecta directamente la sensitividad del receptor. Una forma de disminuir considerablemente dicha figura de ruido consiste en enfriar criogénicamente al amplificador con lo cual se logra a su vez incrementar ampliamente la sensitividad de los receptores. En este trabajo se presentan diferentes aspectos concernientes al diseño y optimización de un amplificador de bajo ruido de una sola etapa que opera en la banda de 8.75 a 9.25 GHz a la temperatura de 11 Kelvin utilizando como dispositivo activo un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de InGaAs. Se diseña el amplificador para una ganancia de 10 dB y 0.05 dB de figura de ruido a temperatura criogénica (11 K). Se presenta una descripción del diseño y proceso de fabricación del circuito integrado de microondas del amplificador.
dc.descriptionOne of the most important components in a microwave receiver is the low noise amplifier (LNA), whose noise figure affects directly the receiver sensitivity. Cooling the amplifier at cryogenic temperatures is a way to achieve very low noise figure and so increase widely the receiver sensitivity. This work presents an 8.75-9.25 GHz ultra low noise amplifier design. The one stage simulated LNA gain was 10 dB and 0.05 dB of noise figure at cryogenic temperature (11 K). It was optimized to operate at ambient temperatures (290 K) with minimum variation in its performance. A commercial InGaAs high electron mobility transistor (HEMT) is used in the design. We present a description of the design and construction process of the microwave amplifier integrated circuit.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherCICESE
dc.relationcitation:Beltrán Lizárraga, R.A. 2004. Optimización teórica y experimental de un amplificador de bajo ruido criogénico en banda X. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada Baja California. 104 pp.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/autor/Microondas, Amplificador de Bajo Ruido, Figura de Ruido, Criogenia, Transistor HEMT
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/autor/Microwave, Low Noise Amplifier, Noise Figure, Cryogenic, HEMT Transistor
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/7
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/33
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/3325
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/330708
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dc.titleOptimización teórica y experimental de un amplificador de bajo ruido criogénico en banda X
dc.titleExperimental and theoretically optimization of an X-band cryigenic low noise amplifier
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis


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