| dc.creator | Lipovetzky, José | |
| dc.date | 2011-09 | |
| dc.date | 2011 | |
| dc.date | 2021-07-08T13:54:55Z | |
| dc.date.accessioned | 2023-07-15T02:23:15Z | |
| dc.date.available | 2023-07-15T02:23:15Z | |
| dc.identifier | http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/121397 | |
| dc.identifier | isbn:978-950-34-0749-3 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7461757 | |
| dc.description | En este tutorial se hace una breve revisión de efectos de radiación en dispositivos y circuitos MOS. Se presentan en primer lugar efectos de dosis ionizante total, describiendo los efectos físicos que dan lugar a la modificación de características eléctricas de los dispositivos y como esa modificación puede afectar el comportamiento de circuitos en tecnologías modernas. Se presenta cómo las modificaciones eléctricas en los dispositivos pueden ser aprovechados para construir sensores en un dosímetro de radiación ionizante. Finalmente se presentan efectos puntuales en el funcionamiento de circuitos causados por el paso de una única partícula. | |
| dc.description | Sección: Tutoriales – Resúmenes | |
| dc.description | Centro de Técnicas Analógico-Digitales | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.format | 2-2 | |
| dc.language | es | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ | |
| dc.rights | Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0) | |
| dc.subject | Ingeniería | |
| dc.subject | Tecnologías CMOS | |
| dc.subject | Radiación ionizante | |
| dc.title | Efectos de radiación ionizante en dispositivos y circuitos MOS | |
| dc.type | Objeto de conferencia | |
| dc.type | Resumen | |
