Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas.O objetivo principal deste trabalho é o estudo dos mecanismos de nucleação e crescimento de filmes finos de cobre eletrodepositados sobre silício monocristalino. O trabalho analisa a influência de alguns fatores que possam alterar a morfologia e a estrutura de camadas eletrodepositadas, visando o controle da qualidade destas através dos parâmetros de deposição. O arranjo experimental utilizado para a eletrodeposição é constituído de uma célula eletrolítica de 3 eletrodos e um potenciostato. Sulfato de Cobre (CuSO4) em solução aquosa foi empregado como fonte de íons de cobre. Foram testadas soluções diluídas de sulfato de cobre com os aditivos HF e H3BO3 e com o eletrólito de suporte Na2SO4. Pela análise dos transientes de corrente através dos modelos de Scharifker/Hills e estocástico, constatou-se processos de nucleação dependentes da composição do eletrólito e do potencial aplicado. A técnica de microscopia de varredura possibilitou estabelecer uma relação entre a morfologia do filme depositado e os transientes de corrente obtidos.