El IGBT

dc.creatorLedesma De La Cruz, Wilmer
dc.date.accessioned2020-11-28T05:27:52Z
dc.date.accessioned2023-06-01T23:55:36Z
dc.date.available2020-11-28T05:27:52Z
dc.date.available2023-06-01T23:55:36Z
dc.date.created2020-11-28T05:27:52Z
dc.date.issued2019-10-07
dc.identifierLedesma De La Cruz, W. (2019). El IGBT (Monografía de pregrado). Universidad Nacional de Educación Enrique Guzmán y Valle Enrique Guzmán y Valle, Lima, Perú
dc.identifierM TE-Ei L36 2019
dc.identifierhttp://repositorio.une.edu.pe/handle/20.500.14039/4645
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/6540214
dc.description.abstractEl transistor IGBT es un dispositivo electrónico trabaja como amplificador de corriente y de voltaje, y tiene componentes semiconductores. El componente más empleado es el silicio y el germanio, en los cuales son agregadas las impurezas. Los semiconductores del tipo-n, hay una abundancia de electrones libres, o cargas negativas y los semiconductores del tipo-p hay una insuficiencia de electrones y hay demasiada cargas positivas. El propósito del trabajo de la monografía ha sido con la finalidad de enseñanza del IGBT, para entender en que consiste el trabajo corriente (I.C.E), voltaje (V.C.E) y también en su respuesta a sus frecuencias, voltaje, amplificación de señal y ciclos de trabajo que se muestran a través del osciloscopio de 4 canales.
dc.languagespa
dc.publisherUniversidad Nacional de Educación Enrique Guzmán y Valle
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dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
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dc.sourceUniversidad Nacional de Educación Enrique Guzmán y Valle
dc.sourceRepositorio Institucional - UNE
dc.subjectCaracterísticas del IGBT
dc.subjectFuncionamiento del IGBT
dc.subjectAplicaciones del IGBT
dc.subjectTiempos de conmutación
dc.titleEl IGBT
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/monograph


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