Caracterización de los parámetros “s” de transistores de microondas

dc.contributorARTURO SERRANO SANTOYO
dc.creatorDavid Covarrubias Rosales
dc.date1981
dc.date.accessioned2023-03-16T14:29:13Z
dc.date.available2023-03-16T14:29:13Z
dc.identifierhttp://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1389
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/6229526
dc.descriptionEn el diseño de amplificadores de microondas, resulta importante conocer lo más preciso posible los parámetros de dispersión o parámetros s del transistor de microondas, debido a que la mayoría de las ecuaciones de diseño involucran el uso de estos parámetros. Una de las formas de definir el valor de estos parámetros es caracterizándolos mediante diferentes técnicas de medición. De todas éstas, la que utiliza una técnica de barrido de frecuencia es la que define más rápida y eficientemente y en un ancho de banda continuo el valor de los parámetros s. Utilizando esta técnica de barrido, por medio del Analizador de Redes, se caracterizarán los parámetros s del transistor de microondas,  y se determinarán las características de reflexión y de transmisión de un amplificador de bajo ruido de microondas.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherCICESE
dc.relationcitation:Covarrubias Rosales,D.1981.Caracterización de los parámetros s de transistores de microondas.Tesis de Maestría en Ciencias.Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada,Baja California.131 pp.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Autor/Redes inalámbricas de sensores, Subsistema de comunicación, Protocolos de control de acceso
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/7
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/33
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/3325
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/3325
dc.titleCaracterización de los parámetros “s” de transistores de microondas
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis


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