dc.contributor | Gimenez, S. P. | |
dc.creator | Alati, Daniel Manha | |
dc.date.accessioned | 2019-03-20T14:00:50Z | |
dc.date.accessioned | 2022-09-09T15:47:00Z | |
dc.date.accessioned | 2023-03-13T20:18:20Z | |
dc.date.available | 2019-03-20T14:00:50Z | |
dc.date.available | 2022-09-09T15:47:00Z | |
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dc.date.created | 2019-03-20T14:00:50Z | |
dc.date.created | 2022-09-09T15:47:00Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.identifier | ALATI, Daniel Manha. <b> Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos. </b> <b></b> 2012. 198 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=230>. Acesso em: 22 maio 2012. | |
dc.identifier | http://148.201.128.228:8080/xmlui/handle/20.500.12032/7915 | |
dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/6168387 | |
dc.language | pt_BR | |
dc.subject | Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor | |
dc.title | Estudo do comportamento elétrico de estruturas MOSFETs não convencionais e do MOSFET Diamante em ambiente radioativos | |
dc.type | Dissertação | |