dc.contributorGimenez, S. P.
dc.creatorLoesch, D. S.
dc.date.accessioned2019-06-25T00:06:05Z
dc.date.accessioned2022-09-09T15:46:35Z
dc.date.accessioned2023-03-13T19:09:00Z
dc.date.available2019-06-25T00:06:05Z
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dc.date.created2019-06-25T00:06:05Z
dc.date.created2022-09-09T15:46:35Z
dc.date.issued2019
dc.identifierLOESCH, D. S. <b> Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x. </b> 2019. 99 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019 Disponível em: <https://doi.org/10.31414/EE.2019.D.130714>. Acesso em: 6 maio 2019.
dc.identifierhttp://148.201.128.228:8080/xmlui/handle/20.500.12032/7835
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/6148082
dc.languagept_BR
dc.publisherCentro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectRadiação ionizante
dc.subjectTransistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
dc.subjectDepambrre
dc.titleEstudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x
dc.typeDissertação


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