dc.creatorOré, Casio R.
dc.date2017-09-25T21:45:48Z
dc.date2017-09-25T21:45:48Z
dc.date1998
dc.date.accessioned2023-03-09T07:34:33Z
dc.date.available2023-03-09T07:34:33Z
dc.identifierhttp://revistas.pucp.edu.pe/index.php/promathematica/article/view/8130/8422
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/6025867
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherPontificia Universidad Católica del Perú
dc.publisherPE
dc.relationurn:issn:2305-2430
dc.relationurn:issn:1012-3938
dc.rightsAttribution 4.0 International
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0
dc.sourcePro Mathematica; Vol. 12, Núm. 23-24 (1998)
dc.subjectTeoría de Thomas-Fermi
dc.subjectSemiconductores
dc.subjectMatemáticas
dc.subjecthttps://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.01.00
dc.titleEl nivel Fermi en semiconductores dopados
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeArtículo


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